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半導(dǎo)體/PCB

PCB板中EMC/EMI的設(shè)計(jì)技巧(一)

星之球激光 來(lái)源:電子工程網(wǎng)2013-03-06 我要評(píng)論(0 )   

引言 隨著 IC 器件集成度的提高、設(shè)備的逐步小型化和器件的速度愈來(lái)愈高,電子產(chǎn)品中的 EMI 問(wèn)題也更加嚴(yán)重。從系統(tǒng)設(shè)備 EMC /EMI設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)來(lái)看,在設(shè)備的 PCB 設(shè)計(jì)階...

        引言 

  隨著IC 器件集成度的提高、設(shè)備的逐步小型化和器件的速度愈來(lái)愈高,電子產(chǎn)品中的EMI問(wèn)題也更加嚴(yán)重。從系統(tǒng)設(shè)備EMC /EMI設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)來(lái)看,在設(shè)備的PCB設(shè)計(jì)階段處理好EMC/EMI問(wèn)題,是使系統(tǒng)設(shè)備達(dá)到電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)最有效、成本最低的手段。本文介紹數(shù)字電路PCB設(shè)計(jì)中的EMI控制技術(shù)。

 

  1 EMI的產(chǎn)生及抑制原理

  EMI的產(chǎn)生是由于電磁干擾源通過(guò)耦合路徑將能量傳遞給敏感系統(tǒng)造成的。它包括經(jīng)由導(dǎo)線或公共地線的傳導(dǎo)、通過(guò)空間輻射或通過(guò)近場(chǎng)耦合三種基本形式。EMI的危害表現(xiàn)為降低傳輸信號(hào)質(zhì)量,對(duì)電路或設(shè)備造成干擾甚至破壞,使設(shè)備不能滿足電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的技術(shù)指標(biāo)要求。

  為抑制EMI,數(shù)字電路的EMI設(shè)計(jì)應(yīng)按下列原則進(jìn)行:

  ●根據(jù)相關(guān)EMC/EMI技術(shù)規(guī)范,將指標(biāo)分解到單板電路,分級(jí)控制。

  ●從EMI的三要素即干擾源、能量耦合途徑和敏感系統(tǒng)這三個(gè)方面來(lái)控制,使電路有平坦的頻響,保證電路正常、穩(wěn)定工作。

  ●從設(shè)備前端設(shè)計(jì)入手,關(guān)注EMC/EMI設(shè)計(jì),降低設(shè)計(jì)成本。

 

  2 數(shù)字電路PCB的 EMI控制技術(shù) 

#p#分頁(yè)標(biāo)題#e#  在處理各種形式的EMI時(shí),必須具體問(wèn)題具體分析。在數(shù)字電路的PCB設(shè)計(jì)中,可以從下列幾個(gè)方面進(jìn)行EMI控制。

  2.1 器件選型

  在進(jìn)行EMI設(shè)計(jì)時(shí),首先要考慮選用器件的速率。任何電路,如果把上升時(shí)間為5ns的器件換成上升時(shí)間為2.5ns的器件,EMI會(huì)提高約4倍。EMI的輻射強(qiáng)度與頻率的平方成正比,最高EMI頻率(fknee)也稱為EMI發(fā)射帶寬,它是信號(hào)上升時(shí)間而不是信號(hào)頻率的函數(shù):fknee =0.35/Tr (其中Tr為器件的信號(hào)上升時(shí)間)

  這種輻射型EMI的頻率范圍為30MHz到幾個(gè)GHz,在這個(gè)頻段上,波長(zhǎng)很短,電路板上即使非常短的布線也可能成為發(fā)射天線。當(dāng)EMI較高時(shí),電路容易喪失正常的功能。因此,在器件選型上,在保證電路性能要求的前提下,應(yīng)盡量使用低速芯片,采用合適的驅(qū)動(dòng)/接收電路。另外,由于器件的引線管腳都具有寄生電感和寄生電容,因此在高速設(shè)計(jì)中,器件封裝形式對(duì)信號(hào)的影響也是不可忽視的,因?yàn)樗彩钱a(chǎn)生EMI輻射的重要因素。一般地,貼片器件的寄生參數(shù)小于插裝器件,BGA 封裝的寄生參數(shù)小于QFP 封裝。

  2.2 連接器的選擇與信號(hào)端子定義

  連接器是高速信號(hào)傳輸?shù)年P(guān)鍵環(huán)節(jié),也是易產(chǎn)生EMI的薄弱環(huán)節(jié)。在連接器的端子設(shè)計(jì)上可多安排地針,減小信號(hào)與地的間距,減小連接器中產(chǎn)生輻射的有效信號(hào)環(huán)路面積,提供低阻抗 回流通路。必要時(shí),要考慮將一些關(guān)鍵信號(hào)用地針隔離。

  2.3 疊層設(shè)計(jì)

  在成本許可的前提下,增加地線層數(shù)量,將信號(hào)層緊鄰地平面層可以減少EMI輻射。對(duì)于高速PCB,電源層和地線層緊鄰耦合,可降低電源阻抗,從而降低EMI。

  2.4 布局

  根據(jù)信號(hào)電流流向,進(jìn)行合理的布局,可減小信號(hào)間的干擾。合理布局是控制EMI的關(guān)鍵。布局的基本原則是:

  ●模擬信號(hào)易受數(shù)字信號(hào)的干擾,模擬電路應(yīng)與數(shù)字電路隔開;

  ●時(shí)鐘線是主要的干擾和輻射源,要遠(yuǎn)離敏感電路,并使時(shí)鐘走線最短;

  ●大電流、大功耗電路盡量避免布置在板中心區(qū)域,同時(shí)應(yīng)考慮散熱和輻射的影響;

  ●連接器盡量安排在板的一邊,并遠(yuǎn)離高頻電路;

  ●輸入/輸出電路靠近相應(yīng)連接器,去耦電容靠近相應(yīng)電源管腳;

  ●充分考慮布局對(duì)電源分割的可行性,多電源器件要跨在電源分割區(qū)域邊界布放,以有效降低平面分割對(duì)EMI的影響;

  ●回流平面(路徑)不分割。

  2.5 布線

  ●阻抗控制:高速信號(hào)線會(huì)呈現(xiàn)傳輸線的特性,需要進(jìn)行阻抗控制,以避免信號(hào)的反射、過(guò)沖和振鈴,降低EMI輻射。

  ●將信號(hào)進(jìn)行分類,按照不同信號(hào)(模擬信號(hào)、時(shí)鐘信號(hào)、I/O信號(hào)、總線、電源等)的EMI輻射強(qiáng)度及敏感程度,使干擾源與敏感系統(tǒng)盡可能分離,減小耦合。

  ●嚴(yán)格控制時(shí)鐘信號(hào)(特別是高速時(shí)鐘信號(hào))的走線長(zhǎng)度、過(guò)孔數(shù)、跨分割區(qū)、端接、布線層、回流路徑等。

  ●信號(hào)環(huán)路,即信號(hào)流出至信號(hào)流入形成的回路,是PCB設(shè)計(jì)中EMI控制的關(guān)鍵,在布線時(shí)必須加以控制。要了解每一關(guān)鍵信號(hào)的流向,對(duì)于關(guān)鍵信號(hào)要靠近回流路徑布線,確保其環(huán)路面積最小。

#p#分頁(yè)標(biāo)題#e# 

  

       對(duì)低頻信號(hào),要使電流流經(jīng)電阻最小的路徑;對(duì)高頻信號(hào),要使高頻電流流經(jīng)電感最小的路徑,而非電阻最小的路徑(見(jiàn)圖1)。對(duì)于差模輻射,EMI輻射強(qiáng)度(E)正比于電流、電流環(huán)路的面積以及頻率的平方。(其中I是電流、A是環(huán)路面積、f是頻率、r是到環(huán)路中心的距離,k為常數(shù)。)

  因此當(dāng)最小電感回流路徑恰好在信號(hào)導(dǎo)線下面時(shí),可以減小電流環(huán)路面積,從而減少EMI輻射能量。

  ●關(guān)鍵信號(hào)不得跨越分割區(qū)域。

  ●高速差分信號(hào)走線盡可能采用緊耦合方式。

  ●確保帶狀線、微帶線及其參考平面符合要求。

  ●去耦電容的引出線應(yīng)短而寬。

  ●所有信號(hào)走線應(yīng)盡量遠(yuǎn)離板邊緣。

  ●對(duì)于多點(diǎn)連接網(wǎng)絡(luò),選擇合適的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),以減小信 號(hào)反射,降低EMI輻射。

 

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