光刻機(jī)，其實(shí)就是一種切割工藝。硅芯片由片刻進(jìn)行由切割產(chǎn)生單晶硅，然后經(jīng)過高溫c-f加工可以切割成硅片。硅片按照電子器件類型有cmos集成電路，hmsoc等等，都需要進(jìn)行光刻處理，以達(dá)到實(shí)際應(yīng)用的性能。光刻機(jī)要區(qū)分光刻工藝有兩大類，激光光刻和化學(xué)光刻兩大類。

激光光刻(如intelswrl,intelswrl:cobrushoxidelens)又稱為熱點(diǎn)光刻，是指用激光光熱離子束進(jìn)行光刻的工藝。主要目的是獲得微縮版的半導(dǎo)體制造物，或是下層實(shí)體晶體管的圖案。根據(jù)光路，光刻中的激光首先經(jīng)過幾十或幾百攝氏度的高溫。然后經(jīng)過cmp全鋁化學(xué)氣相沉積技術(shù)。還需要用到化學(xué)氣相沉積的液體，一般都是有機(jī)溶劑，如cl2，h2，o2等。這是一個(gè)高溫高壓的過程，能讓多少離子包圍在晶體管的圖案上，就能看到多少離子。

除此之外，用到化學(xué)氣相沉積的液體一般都是高熔點(diǎn)的材料，如醇、醚、醛、醛酮等等。除了需要用到激光光熱離子還需要一種特殊的氧化劑來去除雜質(zhì)雜質(zhì)，比如全鋁化學(xué)氣相沉積技術(shù)可能在最終版本的硅的光刻中會(huì)看到一種用于氧化的高氧化性雜質(zhì)，叫作有機(jī)添加劑或者硝酸鹽。而化學(xué)光刻主要就是直接用硅刀切割，所以產(chǎn)品的性能和光刻機(jī)是沒有太大關(guān)系的，而光刻機(jī)的應(yīng)用的制造光刻機(jī)。