幾十年來，“硅發(fā)光”一直是微電子行業(yè)的圣杯，解決這個難題將徹底改變計算，因為受益于此，芯片將變得比以往任何時候都快。

近日，埃因霍溫理工大學(xué)（TU/e）的研究人員現(xiàn)在已經(jīng)開發(fā)出一種硅合金，這種硅合金可以發(fā)光，實現(xiàn)光子傳輸。該團隊現(xiàn)在將在此基礎(chǔ)上開發(fā)一種硅激光器，集成到當(dāng)前芯片中。

　　圖源：埃因霍溫科技大學(xué)

　　光子通信代替電子通信，芯片提速1000倍

目前以半導(dǎo)體為基礎(chǔ)的技術(shù)正在達到頂峰，但限制因素是熱量。

在電子電路中，數(shù)據(jù)通常通過電子流傳輸，而電子流在通過芯片晶體管的銅線和許多電阻時，會產(chǎn)生大量熱量。這意味著數(shù)據(jù)量越大，電子流傳輸產(chǎn)生的熱量越多。若要繼續(xù)推進數(shù)據(jù)傳輸，則需要一種不產(chǎn)生熱量的新技術(shù)——光子傳輸。

最近，埃因霍溫科技大學(xué)的一項新研究表明，硅可以發(fā)射光子來傳輸數(shù)據(jù)，傳輸過程中并不會帶來熱量，可以消除高能耗芯片與芯片間通信帶來熱量過多，導(dǎo)致傳輸緩慢的問題。

　　使用光學(xué)裝置來測量發(fā)射的光

　　圖源：埃因霍溫科技大學(xué)

光纖中通常是通過光子來攜帶信息而不是電子。與電子相反，光子不經(jīng)歷電阻，由于它們沒有質(zhì)量或電荷，它們在所通過的材料中的散射會更少，因此不會產(chǎn)生熱量，能源消耗將減少。

此外，通過用光通信代替芯片內(nèi)的電子通信，芯片內(nèi)和芯片間通信的速度可以提高1000倍，數(shù)據(jù)中心將受益匪淺，數(shù)據(jù)傳輸速度更快，冷卻系統(tǒng)能耗更低。而且這些光子芯片也將帶來觸手可及的新應(yīng)用，想一想激光雷達自動駕駛汽車和化學(xué)傳感器的醫(yī)療診斷、測量空氣和食品質(zhì)量。

不過，在芯片中使用光需要集成激光器，但計算機芯片的主要半導(dǎo)體材料硅在發(fā)光方面效率極低，因此硅長期以來被認為在光子學(xué)中不起作用，而光子芯片也遲遲沒能成為現(xiàn)實。

于是，科學(xué)家們開始轉(zhuǎn)向了能隙寬的半導(dǎo)體，例如砷化鎵和磷化銦，兩者都擅長發(fā)光。一個歐洲財團的研究人員對砷化鎵的量子光子波導(dǎo)電路進行了實驗，還有加利福尼亞大學(xué)圣巴巴拉分校的研究人員也研究了高功率磷化銦光子集成電路。

但砷化鎵和磷化銦的根本問題在于，它們很難集成到現(xiàn)有的硅微芯片中，不能與硅很好地發(fā)揮作用，而且兩者本身都很昂貴，成本實在太高。

因此，埃因霍溫科技大學(xué)的研究人員認識到，硅仍然是當(dāng)今制造絕大多數(shù)IC的首選材料，如果硅也可以發(fā)射光子并由此增強數(shù)據(jù)通信，同時消除熱量問題，對于設(shè)計者來說，可是莫大的福音。

突破：六角形硅鍺終于發(fā)光

接下來，研究人員開展了數(shù)年對這種發(fā)光硅解決方案的研究。

他們遇到最大的問題是硅的間接帶隙阻止了硅的發(fā)光，為此，他們把目光投向了將硅與鍺結(jié)合成六邊形結(jié)構(gòu)的方法，希望從而實現(xiàn)發(fā)射和透射光的直接帶隙。

來自TU/e的首席研究員Erik Bakkers說：

“關(guān)鍵在于所謂的半導(dǎo)體帶隙的性質(zhì)，如果電子從導(dǎo)帶‘滴’到價帶，半導(dǎo)體就會發(fā)出光子。但是，如果導(dǎo)帶和價帶相互位移（稱為間接帶隙），就不能像硅那樣發(fā)射光子。不過，一個50年前的理論表明，與鍺合金并形成六邊形結(jié)構(gòu)的硅確實具有直接的帶隙，因此可能會發(fā)光?！?/p>

但顯然理想與現(xiàn)實往往不是同一回事。2015年，埃因霍溫科技大學(xué)的研究人員發(fā)表了一篇論文，論證了將磷化鎵制成的六角形外殼用作六角形硅的模板。他們成功地在六角形外殼中生產(chǎn)了硅，但事實證明該外殼無法透射或發(fā)光。

不過，近期該研究迎來了轉(zhuǎn)機。在Erik Bakkers的帶領(lǐng)下，許多相同的研究人員已經(jīng)設(shè)法制造出一種改進的六角形硅鍺殼。當(dāng)由外部激光器激發(fā)時，所得的硅鍺納米線實際上能夠透射光。

　　硅鍺殼制成的光導(dǎo)納米線

　　圖源：埃因霍溫科技大學(xué)

根據(jù)Bakkers的說法，下一步是創(chuàng)建實際的激光來激發(fā)納米線，當(dāng)然，所謂納米線就是指硅。

2020年，世界首個硅激光器將現(xiàn)

六角形SiGe合金的發(fā)射非常有效，適合開始生產(chǎn)全硅激光器。但直到現(xiàn)在，還不能使它們發(fā)光。Bakkers團隊正在通過減少雜質(zhì)和晶體缺陷的數(shù)量，設(shè)法提高了六角硅鍺外殼的質(zhì)量，當(dāng)用激光激發(fā)納米線時，他們可以測量新材料的效率。

　　圖源：埃因霍溫科技大學(xué)

AlainDijkstra是第一作者，也是負責(zé)測量光發(fā)射的研究人員，他說：“我們的實驗表明，這種材料結(jié)構(gòu)正確，沒有缺陷，它能非常有效地發(fā)光。”

Bakkers說：

“到目前為止，我們已經(jīng)實現(xiàn)了幾乎可以與磷化銦和砷化鎵相媲美的光學(xué)性能，并且材料的質(zhì)量正在急劇提高。如果運行平穩(wěn)，我們可以在2020年制造出硅基激光器。這將使光學(xué)功能與主流電子平臺緊密集成，這將打破片上光通信和基于光譜學(xué)的價格合理的化學(xué)傳感器的開放前景。”

如此一來，成功研發(fā)出硅激光器，也只是時間問題。