日本Phoeton公司SiC半導(dǎo)體用激光退火裝置。該裝置設(shè)想用于背面電極中采用的金屬層的歐姆（Ohmic）化。據(jù)Phoeton介紹，該公司預(yù)定在2011年2月提供首臺(tái)SiC半導(dǎo)體用激光退火裝置。另外，還預(yù)定在2012年開(kāi)始供貨定位為 “量產(chǎn)機(jī)型”的裝置。

Phoeton公司擁有從2009年就開(kāi)始供貨硅半導(dǎo)體用激光退火裝置的業(yè)績(jī)。這是一種IGBT等縱型構(gòu)造元件的制造工藝中所需要的、用于使晶圓背面實(shí)現(xiàn)活性化的裝置。利用通過(guò)該裝置積累的經(jīng)驗(yàn)，Phoeton此次開(kāi)發(fā)出了SiC半導(dǎo)體專用裝置。

Phoeton公司表示，硅半導(dǎo)體用途是對(duì)整個(gè)晶圓進(jìn)行退火，而SiC半導(dǎo)體用途則要求“對(duì)晶圓的一部分進(jìn)行局部退火”。而原來(lái)硅半導(dǎo)體專用裝置的激光照射方法無(wú)法滿足該要求，因而Phoeton對(duì)激光照射方法進(jìn)行了全面改進(jìn)。

硅半導(dǎo)體專用裝置在圓盤(pán)狀的大工作臺(tái)上沿圓周方向排列多個(gè)硅晶圓，在高速轉(zhuǎn)動(dòng)該工作臺(tái)的同時(shí)照射激光。然后從工作臺(tái)的圓周側(cè)開(kāi)始#p#分頁(yè)標(biāo)題#e#,以直徑約為 100μm的激光光斑（Laser Spot）為中心進(jìn)行掃描，從而對(duì)整個(gè)硅晶圓進(jìn)行退火。而此次推出的SiC半導(dǎo)體專用裝置無(wú)需轉(zhuǎn)動(dòng)SiC晶圓，而是采用Galvano光學(xué)掃瞄儀來(lái)掃描激光束。據(jù)Phoeton公司介紹，采用該方法可以對(duì)晶圓的一部分進(jìn)行局部激光照射。

據(jù)介紹，在采用此次裝置實(shí)現(xiàn)歐姆化時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)10-4～10-6Ωcm2的接觸電阻值。吞吐量方面，在150mm晶圓中采用NiSi形成歐姆電極時(shí)為5張/小時(shí)。支持的最大晶圓尺寸為150mm。還支持從晶圓上裁切下來(lái)的小片基板。支持的晶圓厚度在100μm以上。