1）高平均功率密度激光棒（晶體棒）

目前用于工業(yè)加工的激光器主要是CO2激光器和Nd：YAG激光器，由于采用了高功率的半導體激光器作為泵浦源，在結構上采用多棒串接組合系統(tǒng)，以及發(fā)展了板條激光器和筒形激光器等新結構系統(tǒng)，使得Nd：YAG激光器輸出達到千瓦級高平均功率密度。

在石榴石基質上已發(fā)展了優(yōu)質大尺寸的釔鎵石榴石 Nd:Gd3Ga5O12(Nd:GGG)，它比YAG易于生長并較適于激光二極管泵浦。

2）可調諧激光棒（晶體棒）

可調諧激光晶體借助過渡金屬離子d-d 躍遷易受晶格場影響的特點而使其激光波長在一定范圍內可以調諧。

Cr3+:LiCaAlF6 和 Cr3+:LiSrAlF6是目前最好的摻 Cr3+ 的可調諧激光晶體，調諧范圍為0.78~1.01um 。這兩種晶體前者力學性能好，后者激光性能好。Cr3+ :MgSiO4是熒光寬度最寬（680~1400 um）的可調諧晶體。

摻過渡金屬離子的可調諧激光器

Ti3+：Al2O3、BeAl2O4 ；

Cr3+：Cr3+: BeAl2O4、Be3Al2Si6O18、KZnF3、ZnWO4、 Y3Ga5O12、 Gd3Ga5O12、 Gd3Sc2Al2O12、Y2Sc2Ga3O12、Gd3Sc2Ga3O12、La3Lu2Ga3O12 。

CO2+：MgF2、KMgF3、KZnF3、ZnF3 ；

Ni2+：MgO、CaY2Mg2GeO12、KMgF3、MgF2、MnF2。

3）新波長激光棒（晶體棒）

波長在2~3 um 的中紅外晶體，如Er1.5Y1.5Al5O12 (2.94um)，由于此波長對水的吸收系數為1（對比1.06 um只有10-4），因此3um 激光器在醫(yī)學上有廣泛應用。

4）半導體激光器和小型激光器用激光晶體

半導體超晶格，量子阱材料在光電子技術中的一個重要應用就是制作半導體量子阱激光器（QWLD）。QWLD因具有效率高（60%），體積小，可靠和優(yōu)廉等優(yōu)點而獲得廣泛應用。20世紀80年代以來發(fā)展很快，商用QLWD已覆蓋630~2000 nm波段。

半導體激光晶體：AlGaAs、InGaAiP、InGaAs、InGaAs、InGaAsP、InGaAsP。

5）混合無序結構氟化物激光棒（晶體棒）

5NaF˙9YF3、CaF2-SrF2、CaF2-YF3、Ca2Y3F13、CaF2-LaF3、CaF2-CeO2 、CaF2-CeO2、CaF2-GdF3、CaF2-ErF3、SrF2-YF3、Sr2Y5F15、SrF2-LaF3、SrF2-GdF3、SrF2-Luf3 。