第三代半導(dǎo)體材料的禁帶寬度是第一代和第二代半導(dǎo)體禁帶寬度的近3倍，在高溫、高壓、高功率和高頻領(lǐng)域?qū)⑻娲皟纱雽?dǎo)體材料。
氮化鎵GaN已在消費(fèi)電子率先突破，中高壓領(lǐng)域或后來居上：采用GaN-on-Si的功率器件工作電壓在1000V以下，成本在1美金左右。氮化鎵GaN功率器件在低壓領(lǐng)域（0-900V）率先商用，替代傳統(tǒng)的硅基功率器件。更有實(shí)驗(yàn)室宣布最新工作電壓可達(dá)1200V的硅基GaN外延片，如若該技術(shù)商業(yè)化順利，1000V以上中高壓領(lǐng)域，硅基GaN也有可能獲得一部分市場份額。
新能源汽車為碳化硅SiC的最重要應(yīng)用領(lǐng)域，如主驅(qū)逆變器、DC/DC轉(zhuǎn)換器、車載充電機(jī)和充電樁等。相較于硅基IGBT，碳化硅SiC MOSFET電動車的續(xù)航里程更長。EPA城市路況下，碳化硅SiC MOSFET相較于硅基IGBT，將節(jié)省77%的能量損耗。EPA高速路況下，碳化硅SiC MOSFET相較于硅基IGBT，節(jié)省85%的能量損耗。能耗節(jié)省直觀增加車輛續(xù)航里程，使用碳化硅SiC MOSFET的電動車比使用硅基IGBT電動車將增加5-10%的續(xù)航里程。
目前我國廠商已布局第三代半導(dǎo)體的設(shè)備、襯底、外延和器件全產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)，包括難度最大的襯底長晶環(huán)節(jié)，自動化程度較高的外延環(huán)節(jié)和應(yīng)用于下游市場的器件環(huán)節(jié)。整體來看我國第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈自主可控能力較強(qiáng)。
氮化鎵GaN單晶生長困難問題有何良策？
氮化鎵GaN何時可提升其射頻市場的滲透率？
碳化硅良率提升問題如何解決？
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更多您關(guān)心的第三代半導(dǎo)體盡在12月9日 深圳國際會展中心(寶安新館)“ 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇 ”誠邀您聽會交流
同期峰會預(yù)告：
2021第四屆“5G&半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)高峰會
時間：2021年12月8下午13:30-17:30日 地點(diǎn)：深圳國際會展中心（寶安）
時間 | 議題 | 演講者 |
主持人：北京大學(xué)博導(dǎo) 胡國慶教授 | ||
13:00-13:20 | 參會代表進(jìn)場 | |
13:20-13:40 | 主辦方致辭 | |
13:40-14:00 | “中國芯”驅(qū)動世界精彩 | 中芯國際 |
14:00-14:20 | 趨勢而行 淺談汽車存儲的安全之路 | 深圳市江波龍電子股份有限公司 工業(yè)存儲事業(yè)部經(jīng)理 |
14:20-14:40 | AI技術(shù)在半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用與發(fā)展 Application and development of AI technology in the semiconductor industry | 思謀科技商務(wù)總監(jiān)?趙安 |
14:40-15:00 | 缺陷檢測方案助力集成電路工藝-SMEE缺陷檢測產(chǎn)品 | 上海微電子裝備集團(tuán) 周許超*自動光學(xué)檢測平臺經(jīng)理 |
15:00-15:20 | 研磨劃片切割廢水循環(huán)回用，零排放 | 華清環(huán)保 總經(jīng)理?丁山清博士 |
15:20-15:40 | 《芯設(shè)計·芯制造·芯競爭——芯時代下半導(dǎo)體企業(yè)如何提升研產(chǎn)銷、供應(yīng)鏈協(xié)同的流程管理能力》 | 鼎捷軟件電子半導(dǎo)體事業(yè)部-副總經(jīng)理 賴建安 |
15:40-16:00 | 主題自擬 | 聯(lián)想凌拓科技有限公司 |
16:00-16:20 | AOI技術(shù)在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用 | 蘇州鎂伽科技有限公司 |
16:20-16:40 | AIOT多核異構(gòu)HK32MCPU為核心 打造航順無邊界生態(tài)平臺級企業(yè) | 航順半導(dǎo)體?白海英 執(zhí)行副總裁 |
觀聽請聯(lián)絡(luò)：13543266785 賈小姐
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