歐盟節(jié)能硅發(fā)射器使用 III-V 族半導體量子點和量子點材料的異質集成（SEQUOIA）項目報道稱在硅光子集成電路（PIC）上取得新進展。
從2013開始，SEQUOIA項目一直在開發(fā)具有較好的熱穩(wěn)定性、高調制帶寬以及可能產生平面波分復用蜂窩的混合 III-V激光器。
通過使用硅襯底納米結構異質集成材料，光學濾波器可以直接與異質量子點/量子簇/硅激光器集成制備出線性調頻激光器。與直接調制激光器相比，該激光器有一個增強的調制帶寬和消光比。作為該技術的一個例子，目的是開發(fā)一個總容量400Gbps發(fā)射機（16x25Gbps）。
在該項目的第一個階段，量子點/量子簇材料質量有了明顯的提高，卡塞爾大學最近展示了直接調制比特率達 34Gbps的量子點激光器，創(chuàng)造了新記錄。同時，量子點晶片成功地結合到硅晶片上。
兩種 PIC 最終示范產品也設計完成，分別是直接調制比特率達 25Gbps 的線性調頻激光器和與級聯(lián)環(huán)諧振器調節(jié)器集成為一體的光梳子雷射。這些PIC使用16波分復用信道便可提供 400Gbps的總容量，以更低的成本提供更好的性能，并通過采用新材料和新集成工藝增強器件性能。
該項目由 III-V 族實驗室領導，該實驗室在 InP 基光子學和硅基 III-V族混合集成方面有精湛的專業(yè)知識。另外兩個德合作伙伴是總部位于多特蒙德的 innolume公司和卡塞爾大學內，這兩個單位在材料和 III-V光電研究方面都創(chuàng)紀錄成果。其他合作伙伴有法國電子與信息技術實驗室；丹麥技術大學光子工程學院；法國雷恩大學福田實驗室。
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