閱讀 | 訂閱
閱讀 | 訂閱
芯片/顯示

研發(fā)新熱點:深紫外LED醫(yī)療將成大熱門

星之球激光 來源:LEDinside2013-11-21 我要評論(0 )   

深紫外光是指波長100納米到280納米之間的光波,在殺菌消毒、醫(yī)療、生化檢測、高密度信息儲存和保密通訊等領域有重大應用價值。與汞燈紫外光源相比,基于氮化鋁鎵(AlGaN...

       深紫外光是指波長100納米到280納米之間的光波,在殺菌消毒、醫(yī)療、生化檢測、高密度信息儲存和保密通訊等領域有重大應用價值。與汞燈紫外光源相比,基于氮化鋁鎵(AlGaN)材料的深紫外發(fā)光二極管(LED)具備堅固、節(jié)能、壽命長、無汞環(huán)保等優(yōu)點,正逐步滲入汞燈的傳統(tǒng)應用領域。同時,深紫外LED的獨特優(yōu)勢又激發(fā)了許多新的消費類電子產品應用,如白色家電的消毒模塊、便攜式水凈化系統(tǒng)、手機消毒器等,從而展現(xiàn)出廣闊的市場前景,成為繼半導體照明LED之后,全球LED研究與投資的新熱點。

研究報告顯示,未來LED市場可能被劃分為兩部分,一部分是面向通用照明的可見光LED,另一類則是以高科技創(chuàng)新為特色的深紫外LED。與可見光LED相比,目前深紫外LED的發(fā)光效率和光輸出功率普遍較低。中國科學院半導體研究所研究員張韻認為,要從根本上提高氮化鋁鎵基深紫外LED發(fā)光效率低和出光功率低兩大性能瓶頸,重點要研究如何突破低位錯密度的AlN和AlGaN材料核心外延與摻雜技術,設計出高量子效率和高光提取效率的LED器件結構,以及開發(fā)高可靠性的芯片制備工藝和光珠封裝技術。

作為國內氮化鋁鎵基深紫外LED的重要研發(fā)機構,中國科學院半導體研究所半導體照明研發(fā)中心在國家863計劃的支持下,在氮化鋁鎵材料的外延生長和摻雜以及深紫外LED芯片的制備工藝等方面積累了多年研發(fā)經驗,目前已成功實現(xiàn)發(fā)光波長從260納米到300納米的深紫外LED芯片系列,并已具備產業(yè)化批量生產能力。

科研人員在《應用物理快報》發(fā)表論文指出,利用納米球技術制作的納米圖形襯底,不但改善了材料質量,而且提高了光提取效率。280納米的深紫外LED在20毫安電流下,光輸出功率達到3毫瓦以上,外量子效率和光輸出功率相對于傳統(tǒng)平面襯底提高近1倍。他們還通過優(yōu)化封裝工藝,使封裝后的深紫外LED光珠實現(xiàn)了超過4毫瓦的光輸出功率。2013年,中科院半導體所的深紫外LED關鍵材料及器件制備技術被鑒定為國內領先、國際先進。

 

轉載請注明出處。

暫無關鍵詞
免責聲明

① 凡本網未注明其他出處的作品,版權均屬于激光制造網,未經本網授權不得轉載、摘編或利用其它方式使用。獲本網授權使用作品的,應在授權范圍內使 用,并注明"來源:激光制造網”。違反上述聲明者,本網將追究其相關責任。
② 凡本網注明其他來源的作品及圖片,均轉載自其它媒體,轉載目的在于傳遞更多信息,并不代表本媒贊同其觀點和對其真實性負責,版權歸原作者所有,如有侵權請聯(lián)系我們刪除。
③ 任何單位或個人認為本網內容可能涉嫌侵犯其合法權益,請及時向本網提出書面權利通知,并提供身份證明、權屬證明、具體鏈接(URL)及詳細侵權情況證明。本網在收到上述法律文件后,將會依法盡快移除相關涉嫌侵權的內容。

網友點評
0相關評論
精彩導讀