羅芬激光，世界領(lǐng)先的工業(yè)激光器和激光系統(tǒng)制造商推出前道工序（FEOL）處理交鑰匙解決方案，進(jìn)入半導(dǎo)體市場(chǎng)。新的激光晶圓處理系統(tǒng)Waferlase®200/300/450，是一個(gè)全自動(dòng)的模塊化平臺(tái)，包含市場(chǎng)領(lǐng)先的（超）薄半導(dǎo)體晶片傳送系統(tǒng)，以及可以根據(jù)應(yīng)用的類(lèi)型選擇激光處理模組。Waferlase®200/300/450（8”/12”/18”wafer size）產(chǎn)品系列從提供IGBT晶圓激光退火和激光晶圓ID 軟打標(biāo)方案開(kāi)始。

　　領(lǐng)先的超薄晶片自動(dòng)化傳送技術(shù)

　　羅芬集成了上接觸晶圓傳送技術(shù)，即使晶片有較大的翹曲和彎曲，也能提供精確的無(wú)接觸式超薄晶圓傳輸。為開(kāi)放式標(biāo)準(zhǔn)晶舟或FOUP晶片承載系統(tǒng)，配有兩個(gè)或多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)盒端口。集成的掃描頭，檢測(cè)晶片在晶舟的精確位置。全面而易于使用的系統(tǒng)軟件控制晶舟slot的分配，晶片彎曲測(cè)量，晶片位置以及ID檢測(cè)，甚至由于萬(wàn)一晶圓損壞處理而會(huì)自動(dòng)改變晶片拾取和放置的順序，例如由于大面積的或相鄰晶圓的相反方向的彎曲。一個(gè)高端的雙臂機(jī)器人負(fù)責(zé)裝卸晶片。前置校準(zhǔn)器（對(duì)邊器）對(duì)wafer中心和邊緣排列晶片。末端受動(dòng)器和前置校準(zhǔn)器之間的“真空握手”區(qū)域，包含的硅片保護(hù)裝置，以確保其背面無(wú)損傷傳送。因此，羅芬Waferlase®200/300/450將高端的技術(shù)和先進(jìn)的控制軟件集成其中，在幾乎可以忽略不計(jì)的硅片破損率下確保最大生產(chǎn)量.

　　IGBT 晶圓激光退火

　　由于IGBT相比與其他晶體管器件相比有顯著的優(yōu)勢(shì)，如高電壓能力，導(dǎo)通電阻低，易于驅(qū)動(dòng)，開(kāi)關(guān)速度快，耐用性等，絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的市場(chǎng)正在不斷增長(zhǎng)。

　　這個(gè)市場(chǎng)增長(zhǎng)的關(guān)鍵因素之一，是由于在汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域，包括可再生能源，通訊，醫(yī)療，照明和交通運(yùn)輸?shù)男枨蟠蠓黾印?/p>

　　IGBT是在一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的厚度為100微米或更小的機(jī)械化變薄的晶片上制造出來(lái)的。為了在晶片的背面形成場(chǎng)闌和/或發(fā)射極層，深層注入的摻雜元素（如磷或硼），必須高溫退火的過(guò)程中被激活，直到FEOL的最后處理產(chǎn)線(xiàn)。很多時(shí)候，硅片正面的敏感裝置是粘膠帶保護(hù)的。由于膠帶的損傷溫度低，正面裝置的熱感應(yīng)器，以及在處理腔中不均勻的熱分布，使常規(guī)烤箱激活水平低和速度慢。羅芬激光退火工藝已經(jīng)能夠克服這些問(wèn)題，工藝穩(wěn)定性明顯更高，并且生產(chǎn)成本低，晶片質(zhì)量?jī)?yōu)。激光退火能夠深層激活摻雜物，同時(shí)防止損壞晶片的正面和保護(hù)帶。激光允許在最多2微米范圍內(nèi)，為場(chǎng)闌和/或發(fā)射極層的激活的精準(zhǔn)深度控制。 羅芬IGBT激光退火方法激活率超過(guò)90％，遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于傳統(tǒng)的方式。

　　硅片打標(biāo)

　　羅芬Waferlase®200/300/450系統(tǒng)可在透明，半透明，不透明的晶圓材料上打上可追蹤ID標(biāo)記。有兩種方法 – 激光硬打標(biāo)和軟打標(biāo) - 這是根據(jù)打標(biāo)的處理方式，深度和位置的不同所決定的。在潔凈室環(huán)境中的激光軟打標(biāo)，可由硅晶片表面的熔化實(shí)現(xiàn)。

　　羅芬正在申請(qǐng)的專(zhuān)利新技術(shù)，使用戶(hù)可以精確的控制打標(biāo)深度從小于1微米到7微米不等。激光軟打標(biāo)過(guò)程使用一個(gè)特制的IC打標(biāo)激光源，其波長(zhǎng)為532 nm。這種專(zhuān)用的解決方案，實(shí)現(xiàn)了高對(duì)比度，對(duì)標(biāo)記小字符具有優(yōu)異的表現(xiàn)。