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芯片/顯示

LED主要失效模式分析(一)

星之球激光 來源:電子發(fā)燒友2012-06-07 我要評論(0 )   

LED 是一種直接將 電能 轉(zhuǎn)換為可見光和輻射能的發(fā) 光器件 ,具有耗電量小、發(fā) 光效 率高、體積小等優(yōu)點,目前已經(jīng)逐漸成為了一種新型高效 節(jié)能產(chǎn)品 ,并且被廣泛應(yīng)用于 ...

        LED是一種直接將電能轉(zhuǎn)換為可見光和輻射能的發(fā)光器件,具有耗電量小、發(fā)光效率高、體積小等優(yōu)點,目前已經(jīng)逐漸成為了一種新型高效節(jié)能產(chǎn)品,并且被廣泛應(yīng)用于顯示、照明、背光等諸多領(lǐng)域。近年來,隨著LED技術(shù)的不斷進步,其發(fā)光效率也有了顯著的提升,現(xiàn)有的藍光LED系統(tǒng)效率可以達到60%;而白光LED的光效已經(jīng)超過150lm/W,這些特點都使得LED受到越來越多的關(guān)注。

  目前,雖然LED的理論壽命可以達到50kh,然而在實際使用中,因為受到種種因素的制約,LED往往達不到這么高的理論壽命,出現(xiàn)了過早失效現(xiàn)象,這大大阻礙了LED作為新型節(jié)能型產(chǎn)品的前進步伐。為了解決這一問題,很多學(xué)者已經(jīng)開展了相關(guān)研究,并且得到了一些重要的結(jié)論。本文就是在此基礎(chǔ)上,對造成LED失效的重要因素進行系統(tǒng)性的分析,并且提出一些改善措施,以期望能夠完善LED的實際使用壽命。

  一、LED失效模式

  LED失效模式主要有:芯片失效、封裝失效、熱過應(yīng)力失效、電過應(yīng)力失效以及裝配失效,其中尤以芯片失效和封裝失效最為常見。本文將就這幾種主要失效模式,進行詳細(xì)的分析。

  (1) 芯片失效

  芯片失效是指芯片本身失效或其它原因造成芯片失效。造成這種失效的原因往往有很多種:芯片裂紋是由于鍵合工藝條件不合適,造成較大的應(yīng)力,隨著熱量積累所產(chǎn)生的熱機械應(yīng)力也隨之加強,導(dǎo)致芯片產(chǎn)生微裂紋,工作時注入的電流會進一步加劇微裂紋使之不斷擴大,直至器件完全失效[4]。其次,如果芯片有源區(qū)本來就有損傷,那么會導(dǎo)致在加電過程中逐漸退化直至失效,同樣也會造成燈具在使用過程中光衰嚴(yán)重直至不亮。再者,若芯片粘結(jié)工藝不良,在使用過程中會導(dǎo)致芯片粘結(jié)層完全脫離粘結(jié)面而使得樣品發(fā)生開路失效,同樣也會造成LED在使用過程中發(fā)生“死燈”現(xiàn)象。導(dǎo)致芯片粘結(jié)工藝不良的原因,可能是由于使用的銀漿過期或者暴露時間過長、銀漿使用量過少、固化時間過長、固晶基面被污染等。

  (2) 封裝失效

  封裝失效是指封裝設(shè)計或生產(chǎn)工藝不當(dāng)導(dǎo)致器件失效。封裝所用的環(huán)氧樹脂材料,在使用過程中會發(fā)生劣化問題,致使LED的壽命降低。這種劣化問題包括:光透過率、折射率、膨脹系數(shù)、硬度、透水性、透氣性、填料性能等,其中尤以光透過率最為重要。有研究表明光的波長越短,光透過率的劣化越嚴(yán)重,但是對于綠光以上波長(即大于560nm)來說,這種影響并不嚴(yán)重。Lumileds2003年曾公布過功率LED白光器件和φ5白光器件的壽命實驗曲線,19kh后,用硅樹脂封裝的功率器件,光通量仍可維持初始的80%,而用環(huán)氧樹脂封裝的對比曲線則表示在6kh后,光通量維持率僅為50%。實驗表明,在芯片發(fā)光效率相同的情況下,靠近芯片的環(huán)氧樹脂明顯變成黃色、繼而變成褐色。這種明顯的退化過程,主要就是由于光照以及溫升引起的環(huán)氧樹脂光透過率的劣化所造成的。與此同時,在由藍光激發(fā)黃色熒光粉發(fā)出白光的LED中,封裝透鏡的褐變會影響其反射性,并且使得發(fā)出的藍光不足以激發(fā)黃色熒光粉,從而使得光效和光譜分布發(fā)生改變。

       對于封裝而言,還有一個影響LED壽命的重要因素就是腐蝕。在LED使用中,一般引起腐蝕的主要原因是水汽滲入了封裝材料內(nèi)部,導(dǎo)致引線變質(zhì)、#p#分頁標(biāo)題#e#PCB銅線銹蝕;有時,隨水汽引入的可動導(dǎo)電離子會駐留在芯片表面,從而造成漏電。此外,封裝質(zhì)量不好的器件,在其封裝體內(nèi)部會有大量的殘留氣泡,這些殘留的氣泡同樣也會造成器件的腐蝕。

 

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