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激光芯片

華光光電:實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)金錫封裝宏通道半導(dǎo)體激光模塊

2018-09-30 我要評(píng)論(0 )   

近年來(lái),在醫(yī)療美容市場(chǎng),山東華光光電子股份有限公司808nm半導(dǎo)體激光技術(shù)憑借其良好的單一性、較好的穿透力、選擇性光熱作用、

 近年來(lái),在醫(yī)療美容市場(chǎng),山東華光光電子股份有限公司808nm半導(dǎo)體激光技術(shù)憑借其良好的單一性、較好的穿透力、選擇性光熱作用、安全、快速、高效地去除人體任何部位和深度的毛發(fā)等諸多優(yōu)點(diǎn),已經(jīng)成為主流脫毛技術(shù)之一,808nm半導(dǎo)體激光器在脫毛領(lǐng)域發(fā)展迅速。

應(yīng)不斷增加的市場(chǎng)需求,華光光電光電子股份有限公司依靠在高功率半導(dǎo)體激光器外延設(shè)計(jì)生長(zhǎng)、芯片制作、器件封裝19年的經(jīng)驗(yàn)和技術(shù)積累,推出長(zhǎng)壽命、高可靠性、金錫封裝宏通道半導(dǎo)體激光器模塊,功率覆蓋300W、500W、1000W。目前月產(chǎn)能達(dá)到1000臺(tái)以上。
 

該系列模塊封裝技術(shù)采用了華光光電戰(zhàn)略性項(xiàng)目研究成果,通過(guò)了山東省信息技術(shù)與信息化科技成果鑒定。300W、500W、1000W 宏通道模塊在連續(xù)電流測(cè)試下的最大輸出功率分別達(dá)360W、750W、1200W,對(duì)應(yīng)的能量遠(yuǎn)超脫毛應(yīng)用 的需求,波長(zhǎng)-電流漂移系數(shù)達(dá)0.15nm/A,已經(jīng)達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先水平,見(jiàn)圖1和圖2。

根據(jù)客戶和實(shí)際應(yīng)用的需求,華光光電對(duì)該系列激光模塊可提供高性價(jià)比的光束整形方案,實(shí)現(xiàn)方形光斑輸出,提高能量密度及均勻性分布,見(jiàn)圖3。

作為激光模塊的核心部件巴條,目前國(guó)產(chǎn)化較低,市場(chǎng)上大部分模塊使用進(jìn)口巴條,供貨量、供貨周期無(wú)法得到保證,尤其最近美國(guó)禁止為中興供應(yīng)芯片事件的發(fā)生更是讓中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)驚出一身冷汗,所以為防止類似事件再次發(fā)生,華光光電在該系列激光模塊產(chǎn)品中使用了自產(chǎn)的100W和60W巴條(參考圖4),該產(chǎn)品來(lái)源于華光光電的國(guó)家863項(xiàng)目-高功率808nm非對(duì)稱無(wú)鋁應(yīng)變量子阱激光器成果轉(zhuǎn)化。100W巴條在連續(xù)電流測(cè)試下輸出功率達(dá)142W@135A,斜率效率1.16W/A,電光轉(zhuǎn)換效率50%(參考圖5,從圖中可以看出,在135A電流下巴條的輸出光功率并沒(méi)有出現(xiàn)明顯的熱飽和現(xiàn)象,只是受限于電源線的電流承受能力,所以沒(méi)有繼續(xù)測(cè)試),863項(xiàng)目核心技術(shù)對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量和供貨能力提供了強(qiáng)有力的保障。

華光光電開發(fā)的醫(yī)療美容用金錫封裝宏通道半導(dǎo)體激光模塊性能優(yōu)良,并成功推向市場(chǎng),在大功率芯片國(guó)產(chǎn)化的道路上邁出了堅(jiān)實(shí)的一步,華光光電將致力于研發(fā)種類更多、功率更高的大功率芯片、巴條,并在激光器件上投入使用,引領(lǐng)芯片及激光器件國(guó)產(chǎn)化潮流。

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