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光學(xué)元件

新型固體LBCAST JFET圖像傳感器

星之球激光 來(lái)源:中國(guó)自動(dòng)化網(wǎng)2012-01-16 我要評(píng)論(0 )   

引言 在2003年底以前,固體圖像傳感器還分為CCD型和CMOS型,但是2003年底日本的尼康公司改寫(xiě)了這個(gè)歷史,在其2003年7月發(fā)布的D2H鏡頭轉(zhuǎn)換式反單數(shù)字相機(jī)中使用了一種新...

引言

  在2003年底以前,固體圖像傳感器還分為CCD型和CMOS型,但是2003年底日本的尼康公司改寫(xiě)了這個(gè)歷史,在其2003年7月發(fā)布的D2H鏡頭轉(zhuǎn)換式反單數(shù)字相機(jī)中使用了一種新型的固體LBCAST JFET圖像傳感器(Lateral Buried Charge Accumulator and Sensing Transistor array Junction Field Effect Transistor)??梢哉f(shuō)是CCD與CMOS技術(shù)優(yōu)勢(shì)融合的產(chǎn)物,充分體現(xiàn)了CMOS低耗電量和CCD高速數(shù)據(jù)讀取的優(yōu)勢(shì),尺寸為23.3mm×15.5mm,對(duì)角線長(zhǎng)28.4mm,總像素?cái)?shù)為426萬(wàn)(2560×1664),有效像素?cái)?shù)為410萬(wàn),像素間隔為9.4μm。

1 JFET和MOSFET

  場(chǎng)效應(yīng)管主要有結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(IGFET,由于其柵極為金屬鋁故通常又稱為MOSFET),具有輸入阻抗高、噪聲低、功耗低、熱穩(wěn)定性高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。它們的區(qū)別在于導(dǎo)電機(jī)構(gòu)和電流控制原理根本不同,JFET是利用耗盡區(qū)的寬度變化來(lái)改變導(dǎo)電溝道的寬窄以控制漏極電流;MOSFET則是用半導(dǎo)體表面的電場(chǎng)效應(yīng)、電感應(yīng)電荷的多少去改變導(dǎo)電溝來(lái)控制電流。它們性質(zhì)的差異是:JFET往往運(yùn)用在功放輸入級(jí)(前級(jí)),MOSFET則用在功放末級(jí)(輸出級(jí))。但是在有些工作條件下,MOSFET的輸入電阻不夠高,難以滿足要求,而且在高溫工作時(shí),因PN結(jié)反向電流增大,其阻值會(huì)顯著下降,漏極電流也較大。


2 LBCAST JFET的特點(diǎn)

  在追求高帶寬、低功耗的圖像傳感器競(jìng)爭(zhēng)中,CMOS圖像傳感器在設(shè)計(jì)中展現(xiàn)出比CCD更優(yōu)勢(shì)的特點(diǎn):尺寸小、系統(tǒng)成本低,在確何產(chǎn)品品質(zhì)的前提下功耗也低。但噪聲成為CMOS成功路上最大的障礙,將導(dǎo)致圖像質(zhì)量的下降。這也是噪聲問(wèn)題必須得以解決的原因之一。而LBCAST JFET有著眾多優(yōu)點(diǎn),這除了與放大器采用JFET有關(guān)外,還與其內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作特點(diǎn)有關(guān)。

2.1 LBCAST JFET的讀數(shù)方式

  目前CCD和CMOS常用的讀數(shù)方式:順序電荷轉(zhuǎn)移方式與X-Y導(dǎo)址和傳輸方式。圖1(a)為傳統(tǒng)Interline CCD圖像傳感器通常采用的順序電荷轉(zhuǎn)移方式由光信號(hào)轉(zhuǎn)換成的電信號(hào)首先被傳送到列轉(zhuǎn)移寄存器,最后再輸出到圖像處理單元,因此速度受到限制。此外從理論上講,由于順序電荷轉(zhuǎn)移方式需要連續(xù)、高速的驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)換寄存器,這就需要較多的電功率。圖1(b)為CMOS圖像傳感器通常使用的X-Y尋址和傳輸方式,在這種方式中,每一個(gè)像素都有自己的放大器,通過(guò)列掃描和行掃描來(lái)傳遞信號(hào),并輸出給圖像處理單元。它有獨(dú)立的數(shù)據(jù)傳輸線路,因此能達(dá)到很高的速度,但是如果仔細(xì)觀察其輸出圖像,就能夠發(fā)現(xiàn)在分開(kāi)的線上容易出現(xiàn)圖像失真。


  JFET圖像傳感器亦采用X-Y尋址和傳輸方式,數(shù)據(jù)通過(guò)兩條信號(hào)線按不同的顏色讀出,這樣一來(lái)讀取圖像的速度更快,同時(shí)具有可以隨意提取高密度像素?cái)?shù)據(jù)的優(yōu)點(diǎn)。JFET圖像傳感器的數(shù)據(jù)分配線用顏色的方法(綠、藍(lán)和紅)代替了用區(qū)域的方式,在提高操作速度的同時(shí)也提高了圖像質(zhì)量,解決了輸出圖像在分開(kāi)的線上容易再現(xiàn)失真這一問(wèn)題。

  JFET圖像傳感器根據(jù)顏色分離信號(hào)源;所有的綠色信號(hào)通過(guò)一條線輸出,而所有的藍(lán)色和紅色信號(hào)通過(guò)另外一條線輸出,這樣可以使圖像不受輸出放大器波動(dòng)的影響,確保了圖像質(zhì)量。由于人眼對(duì)綠色特別敏感,因此綠色信號(hào)線只處理綠色信號(hào),而且在圖像銳化和設(shè)置圖像對(duì)比度的綠色也特別重要。在讀第一行數(shù)據(jù)時(shí),應(yīng)用列左邊的數(shù)據(jù)線(上面輸出G信號(hào),下面輸出B信號(hào)),再接著讀第二行數(shù)據(jù),此時(shí)應(yīng)用列右邊的數(shù)據(jù)線(上面輸出G信號(hào),下面輸出R信號(hào)),依次繼續(xù)進(jìn)行(圖2),那么可以看到R:G:B比率是1:2:1,通常彩色濾波器的比率也是基于這個(gè)原理設(shè)計(jì)的。

2.2 JFET的功能

  LBCAST JFET中提取像素?cái)?shù)據(jù)的晶體管是JFET,且每個(gè)像素中都包含一對(duì)電荷積累部分(即感光元件)與檢測(cè)放大用的JFET晶體管,可實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換、存儲(chǔ)和放大。而CMOS圖像傳感器中的放大器是MOSFET放大器。在照相機(jī)快門關(guān)閉是一剎所光接收結(jié)束,用于轉(zhuǎn)移的MOSFET柵極打開(kāi),同時(shí)所有存儲(chǔ)的電荷被轉(zhuǎn)移到JFET柵極。此外,JFET柵極就相當(dāng)于量杯,通過(guò)JFET可以讀出有多少光荷被轉(zhuǎn)移到這個(gè)“杯子”中。JFET柵極電壓隨著從光電二極管轉(zhuǎn)移來(lái)的電荷而升高。此時(shí)JFET使得信號(hào)電壓相應(yīng)升高,并將其作為列信號(hào)線讀取的數(shù)據(jù)輸出。在圖像信號(hào)讀出以后,JFET柵極會(huì)送電荷給MOSFET使其復(fù)位,這樣就可以控制JFET柵極的開(kāi)與關(guān)。換句話說(shuō),JFET的功能就好比是像素開(kāi)關(guān),當(dāng)需要讀取信號(hào)時(shí)將其閉合即可。與CMOS圖像傳感器相比,JFET的路徑簡(jiǎn)化很多,這樣使使得速度極大提高、可靠性增強(qiáng)、次品率降低。



2.3 內(nèi)部結(jié)構(gòu)特點(diǎn)分析

  在LBCAST JFET中,由于電荷積累部分采用橫向嵌入方式,因此,JFET成為夾在Gate(開(kāi)關(guān))當(dāng)中的通道構(gòu)造,成為理想的增幅放大元件,和CMOS相比具有更高的靈敏度和更低的噪聲。

  首先,對(duì)于一個(gè)給定的信號(hào),LBCAST使用量杯雖然較小,卻提供了一個(gè)比較大的電壓增量和高的分辨率。其次,在CMOS圖像傳感器中,信號(hào)是經(jīng)過(guò)溝道到硅的表面;而在LBCAST中,信號(hào)的傳輸是通過(guò)內(nèi)部溝道,因此大噪聲幾乎降低到以前水平的1/3,同時(shí)暗電流特別小,可以有效抑制暗噪聲。另一方面,像素信號(hào)雙通道同時(shí)提取,可以實(shí)現(xiàn)高速處理。在結(jié)構(gòu)方面,LBCAST攝像像素的布線構(gòu)造比CMOS少一個(gè)金屬層,同時(shí)布線密度也比較低,層間連接孔也比較少。由此實(shí)現(xiàn)了結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、制造故障少、成品率高等目標(biāo)。

  JFET傳感器像素選擇開(kāi)關(guān)由3個(gè)晶體管組成:轉(zhuǎn)移、JFET和復(fù)位。而CMOS傳感器則由4個(gè)晶體管組成,第4個(gè)晶體管用做像素選擇。因此LBCAST有著比CMOS簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu),較高的效率,并且因?yàn)閱挝幻娣e的光電二極管可以增加,也就提高了其功能性。內(nèi)部連線(包括非透明層)結(jié)構(gòu)也很簡(jiǎn)單,適合于一個(gè)多晶硅層和2個(gè)材料層。而CMOS在組成上的設(shè)計(jì)卻包括四層。需要的層數(shù)越少,光電二極管與微透鏡的距離就越短,通過(guò)BPD(Burie d PhotoDiode)、內(nèi)部FPN(Fixed Pattern Noise)等技術(shù),LBCCAST傳感器可有效降低暗光線下拍攝的圖像噪聲。它類似于CMOS的雙通道讀取方式可提高數(shù)據(jù)讀出速率,非常貼近光敏單元的微透鏡在提高光效率同時(shí)有效改善了畫(huà)面中央和邊角的一致性。LBCAST JFET像素結(jié)構(gòu)圖如圖3所示,LBCAST JFET像素剖面圖如圖4所示。

3 結(jié)束語(yǔ)

  新開(kāi)發(fā)的LBCAST JFET傳感器的主要目標(biāo)是重視“速度”。它的總像素并非很高,僅有400萬(wàn)。因此Nikon將應(yīng)用于LBCAST JFET圖像傳感器的D2H照相機(jī)定位于新聞報(bào)道與體育攝影等方面。

  LBCAST和CMOS相比具有更高靈敏度和低噪音效果,并且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、制造故障少、成品率高。由于它結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,因此可以采用與CMOS相同的制造工藝,預(yù)計(jì)將來(lái)制造成本可以大幅度降低,應(yīng)用前景十分看好。#p#分頁(yè)標(biāo)題#e#

 

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