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半導體激光器

英國科學家提出產(chǎn)生綠光激光器新途徑

星之球激光 來源:上海光機所2011-10-12 我要評論(0 )   

《OPTICS LETTERS》最近發(fā)表了英國格拉摩根大學Kang Li,Aiyun Yao等人的文章,報道了基于半導體激光器模塊和MgO:PPLN晶體的綠光激光器。 綠光激光器在激光顯示、光存...

《OPTICS LETTERS》最近發(fā)表了英國格拉摩根大學Kang Li,Aiyun Yao等人的文章,報道了基于半導體激光器模塊和MgO:PPLN晶體的綠光激光器。

綠光激光器在激光顯示、光存儲、生物光子學等領域均有著廣泛的應用,但目前為止綠光激光器仍然不能很方便的生產(chǎn)出來。目前有幾種途徑得到綠光激光器。最常見的是利用摻Nd類激光器倍頻得到。此外還有一種方法被稱為VECSEL(vertical external-cavity surface-emitting laser),此方法因為結(jié)合了半導體激光器和腔外倍頻方法的便利性,使得綠光激光器更加緊湊和小型化。而文章中提出的方法是直接利用近紅外的半導體激光器模塊加上單次通過的倍頻晶體組合得到綠光輸出,該方法在成本上更加低廉,且集成程度最高。

實驗裝置圖如下圖所示,半導體激光器模塊長度僅為3.6 mm,其中包括了49個窄條發(fā)射器,每個發(fā)射器的光斑大小為0.5 ?m×4 ?m,兩個方向的遠場發(fā)散角分別為7°和22°,發(fā)射面均鍍以1064 nm高透膜,透過率大于99.9%以保護半導體激光模塊。L1用來校準從半導體激光模塊的出射光。L2包括了49個微型透鏡,每個透鏡大小為200 ?m。經(jīng)過聚焦后1064 nm激光進入MgO:PPLN晶體。MgO:PPLN晶體大小為10 mm×13 mm×0.5 mm,兩面均鍍以532 nm, 1064 nm減反膜,晶體周期為6.92 ?m。

圖5  該激光器實驗裝置圖

在工作電流為45 A的情況下得到了最大的綠光輸出功率1.31 W,激光中心波長為543.7 nm。對光束質(zhì)量因子M2進行了精確測量,正交兩個方向分別為12.1和2.9。利用此種方法得到的綠光激光器成本低廉,結(jié)構(gòu)極其緊湊,長度僅為44.5mm。

編譯自:Compact 1.3 W green laser by intracavity frequency doubling of a multi-edge-emitter laser bar using a MgO:PPLN crystal, Optical Letters, Vol.34, No.22, November 15, pp.3472-3474

 

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