5月9日，由西安光機所和西安炬光科技有限公司合作研發(fā)的“半導體激光器功率擴展面陣技術(shù)”項目，通過了由中科院西安分院組織的技術(shù)成果鑒定。

鑒定會由上海光機所范滇元院士主持，鑒定委員會聽取了項目工作組所做的工作報告、技術(shù)報告、查新報告以及鑒定測試報告和資料審查報告。鑒定委員會經(jīng)質(zhì)詢和討論，形成如下意見：

該項目成功設(shè)計和研發(fā)了一種半導體激光器功率擴展面陣技術(shù)，基于多疊陣光束非成像疊加、光斑控制、近場非線性控制、熱管理、光譜控制等技術(shù)，實現(xiàn)了24單 元疊陣的組合面陣，連續(xù)輸出功率達27kW，功率密度大于668W/cm2，光譜寬度小于3.36nm。該技術(shù)適用于連續(xù)和準連續(xù)工作模式及不同中心波 長，可擴展疊陣數(shù)，對開發(fā)大功率半導體激光器面陣新產(chǎn)品有重要意義。該成果主要技術(shù)進步點如下：

1. 采用機械或光學或者機械與光學相結(jié)合的方法有效地控制了輸出光斑尺寸，提高了光斑均勻性；

2. 開發(fā)了大功率半導體激光器面陣的熱管理技術(shù)，采用獨特的熱管理結(jié)構(gòu)設(shè)計，保證了面陣系統(tǒng)的溫度均勻性和穩(wěn)定性；

3. 研究了大功率半導體激光器面陣的光譜展寬機制，提出并開發(fā)了一種有效的面陣系統(tǒng)光譜控制工藝技術(shù)，實現(xiàn)了國際領(lǐng)先的高功率窄線寬激光輸出；

4. 進一步發(fā)展了提高半導體激光器陣列近場線性的工藝技術(shù)，實現(xiàn)了99%的產(chǎn)品的近場非線性低于1微米。

該成果技術(shù)復(fù)雜，難度高，設(shè)計先進，所研發(fā)的面陣在輸出功率、功率密度、光譜寬度等方面達到了國際先進水平。該成果已經(jīng)形成批量生產(chǎn)能力，在國內(nèi)多家單位得到應(yīng)用。鑒定委員會一致同意該成果通過鑒定，同時建議進一步加強該成果的推廣應(yīng)用。