來自中國(guó)光學(xué)期刊網(wǎng)消息：Cymer公司推出了專為ASML光刻掃描儀配置的40W極紫外（EUV）光源，工作周期高達(dá)每小時(shí)刻蝕30張硅晶片，工作功率提高到55W時(shí)，性能更為優(yōu)異。
 
      2月底，這家總部位于圣地亞哥市的公司在SPIE先進(jìn)光刻技術(shù)展覽會(huì)（美國(guó)加利福尼亞州圣何塞市）上展示了其最新研究成果。展覽會(huì)上，Cymer公司詳細(xì)介紹了這套EUV光源的研發(fā)工作。例如，模擬結(jié)果表明，多個(gè)晶圓批次的芯片成品率超過了99.7%；該光源可以±0.2%的輸出劑量穩(wěn)定性連續(xù)工作超過6個(gè)小時(shí)，滿足商業(yè)掃描儀的要求。公司還宣稱，該光源的功率可在一個(gè)小時(shí)內(nèi)逐步提高到55W，模擬的芯片成品率為97.5%。公司計(jì)劃穩(wěn)步提高EUV光源的功率，使其達(dá)到60W，并保持當(dāng)前的工作周期和輸出劑量穩(wěn)定性。目前，Cymer公司正在與ASML公司洽談收購(gòu)事宜。
 
      今年，ASML公司將幫助芯片制造商升級(jí)現(xiàn)有光源，使其到2014年中期具備每小時(shí)刻蝕70張晶圓的能力。要到達(dá)這一目標(biāo)，輸出功率必須達(dá)到105W，而ASML掃描儀在升級(jí)之前，最初預(yù)計(jì)可提供80W的光源。
 
      現(xiàn)在，三臺(tái)正在接受測(cè)試的EUV光源都配有主振蕩器功率放大器（MOPA）升級(jí)和 “預(yù)脈沖”系統(tǒng)，可在超高功率CO2激光器轟擊光源內(nèi)的錫液滴靶丸之前將其尺寸擴(kuò)大。
 
      擴(kuò)大后的靶丸物理上可與激光更好地進(jìn)行匹配，當(dāng)錫被轟擊時(shí)，光源腔就能產(chǎn)生EUV輻射；接著，反射光學(xué)系統(tǒng)直接將光射向需要刻蝕的硅晶圓。眾所周知，使用預(yù)脈沖可提高整體的EUV光產(chǎn)生效率，經(jīng)濟(jì)效益更高。
 
      就EUV光刻的經(jīng)濟(jì)效益而言，如何保護(hù)光學(xué)薄膜免受光源等離子體腔中產(chǎn)生的碎片影響，是另一個(gè)關(guān)鍵要求。Cymer公司宣稱，他們已經(jīng)證實(shí)，所開發(fā)的60W光源發(fā)射出40億個(gè)EUV脈沖后，沒有出現(xiàn)任何早期損害機(jī)制的跡象。
 
      距離Cymer公司競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手Gigaphoton公司開發(fā)出一種類似“預(yù)脈沖”的方式，已經(jīng)有一段時(shí)間。上個(gè)月，Gigaphoton宣稱，其開發(fā)的光源已經(jīng)能夠?qū)崿F(xiàn)20W的峰值功率輸出?，F(xiàn)在，雖然Cymer公司被公認(rèn)處于EUV光源發(fā)展的前沿，但是ASML公司預(yù)計(jì)在未來的幾年里EUV光刻工具的出貨量是適度的（剛剛超過10臺(tái)），2015年之后其出貨量將大幅上升。
 
      針對(duì)EUV，Cymer公司的目標(biāo)是趕超ArF準(zhǔn)分子激光器的功率增長(zhǎng)速度。在半導(dǎo)體行業(yè)當(dāng)前這一代光刻掃描儀的光源中，ArF準(zhǔn)分子激光器占據(jù)主導(dǎo)地位。Cymer公司生產(chǎn)的準(zhǔn)分子激光器從1W的光源開始做起，目前其最新一代產(chǎn)品的功率可達(dá)120W——Gigaphoton公司所達(dá)到的功率水平。