中共中央、國務(wù)院2月14日上午在北京人民大會堂舉行2011年度國家科學(xué)技術(shù)獎勵大會，會上傳來喜訊，福建物構(gòu)所林文雄研究員主持完成的成果“高質(zhì)量晶體元器件和模塊與全固態(tài)激光技術(shù)”榮獲2011年度國家科技進(jìn)步獎二等獎。該項成果是我所進(jìn)入知識創(chuàng)新工程以來，面向國家戰(zhàn)略發(fā)展需求，著力提升原始創(chuàng)新能力，大力增強集成創(chuàng)新和關(guān)鍵核心共性技術(shù)突破方面取得的又一重大創(chuàng)新成果。

　　成果“高質(zhì)量晶體元器件和模塊與全固態(tài)激光技術(shù)”在國家863計劃和福建省科技重大專項的支持下，基于物質(zhì)結(jié)構(gòu)設(shè)計與調(diào)控理論，在材料科學(xué)和激光物理研究基礎(chǔ)上，將晶體生長、組件制備與激光系統(tǒng)設(shè)計等相對獨立學(xué)科的技術(shù)交叉集成，通過“晶體結(jié)構(gòu)設(shè)計－缺陷研究－晶體生長－模塊設(shè)計－激光系統(tǒng)開發(fā)與應(yīng)用－工程開發(fā)”實時互動的研發(fā)模式，開展涉及高質(zhì)量晶體元器件和模塊與全固態(tài)激光技術(shù)上下游技術(shù)環(huán)節(jié)的多學(xué)科綜合研究，完善了“敏感微缺陷吸收中心的控制與消除”、“異質(zhì)晶體微觀復(fù)合界面層結(jié)構(gòu)控制”等技術(shù)，突破激光和非線性晶體生長與器件加工、模塊設(shè)計與制備、激光系統(tǒng)集成等產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵共性技術(shù)，同時制定了相關(guān)國家標(biāo)準(zhǔn)，構(gòu)筑了完整的知識產(chǎn)權(quán)體系。

　　相關(guān)技術(shù)已經(jīng)轉(zhuǎn)移到福晶科技等多家相關(guān)企業(yè)，實現(xiàn)了高質(zhì)量晶體元器件和模塊與全固態(tài)激光系統(tǒng)的規(guī)?；a(chǎn)，在激光顯示、先進(jìn)制造、信息通訊等領(lǐng)域發(fā)揮了基礎(chǔ)性、關(guān)鍵性作用，為培育和發(fā)展戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)及經(jīng)濟(jì)增長方式的轉(zhuǎn)變提供了重要技術(shù)支撐，取得了顯著的社會和經(jīng)濟(jì)效益。制訂了2項國家標(biāo)準(zhǔn)；獲得授權(quán)發(fā)明專利7件；發(fā)表SCI、EI收錄論文12篇，曾獲得福建省科技進(jìn)步獎2006年度二等獎、2007年度一等獎，制訂的2項國家標(biāo)準(zhǔn)獲2010年度福建省標(biāo)準(zhǔn)貢獻(xiàn)獎一等獎。