閱讀 | 訂閱
閱讀 | 訂閱
技術(shù)前沿

中科院上海光機所在等離子體增強原子層沉積HfO2薄膜激光損傷閾值方面取得新進展

激光制造網(wǎng) 來源:中科院上海光機所2023-06-21 我要評論(0 )   

近期,中國科學院上海光學精密機械研究所薄膜光學實驗室朱美萍研究員團隊在等離子體增強原子層沉積(PEALD)HfO2薄膜的激光損傷閾值(LIDT)方面取得新進展。相關(guān)研究成...

近期,中國科學院上海光學精密機械研究所薄膜光學實驗室朱美萍研究員團隊在等離子體增強原子層沉積(PEALD)HfO2薄膜的激光損傷閾值(LIDT)方面取得新進展。相關(guān)研究成果發(fā)表在Journal of Alloys and Compounds上。

1

PEALD具有精確的厚度可控性,基于該方法的HfO2/SiO2三倍頻減反射膜性能優(yōu)良。然而,PEALD HfO2薄膜中的高雜質(zhì)含量和非化學計量比導(dǎo)致其LIDT較低,是限制三倍頻激光薄膜LIDT提高的主要原因。因此,如何提高PEALD HfO2薄膜的LIDT成為了研究重點。

2

圖1.不同溫度下氧氣退火的HfO2薄膜的XPS能譜:(a)Hf 4f,(b)C 1s,(c)N 1s和(d)O 1s

研究人員將PEALD HfO2薄膜在不同氣氛和不同溫度下進行了退火處理,研究了對HfO2薄膜表面形貌、晶體結(jié)構(gòu)、化學成分和LIDT(激光脈寬:7.8 ns,激光波長:355 nm)的影響。實驗結(jié)果表明,在氧氣氣氛下退火更有利于雜質(zhì)化合物(碳酸鹽和胺)的分解和缺氧狀態(tài)的改善。與退火前相比,在氧氣氣氛特定溫度下退火的HfO2薄膜具有更低的C和N雜質(zhì)含量,更高的化學計量比,從而具有更低的吸收和更高的LIDT。該實驗為PEALD氧化物薄膜和其他含有類似雜質(zhì)的氧化物薄膜的性能改善提供了參考,有利于相關(guān)激光薄膜LIDT的提高。

3

圖2.不同溫度下氧氣退火的HfO2薄膜:(a)雜質(zhì)含量,(b)O/Hf比,(c)吸收和(d)LIDT


轉(zhuǎn)載請注明出處。

中科院上海光機所,光電,激光,激光企業(yè),激光制造,激光器
免責聲明

① 凡本網(wǎng)未注明其他出處的作品,版權(quán)均屬于激光制造網(wǎng),未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用。獲本網(wǎng)授權(quán)使用作品的,應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使 用,并注明"來源:激光制造網(wǎng)”。違反上述聲明者,本網(wǎng)將追究其相關(guān)責任。
② 凡本網(wǎng)注明其他來源的作品及圖片,均轉(zhuǎn)載自其它媒體,轉(zhuǎn)載目的在于傳遞更多信息,并不代表本媒贊同其觀點和對其真實性負責,版權(quán)歸原作者所有,如有侵權(quán)請聯(lián)系我們刪除。
③ 任何單位或個人認為本網(wǎng)內(nèi)容可能涉嫌侵犯其合法權(quán)益,請及時向本網(wǎng)提出書面權(quán)利通知,并提供身份證明、權(quán)屬證明、具體鏈接(URL)及詳細侵權(quán)情況證明。本網(wǎng)在收到上述法律文件后,將會依法盡快移除相關(guān)涉嫌侵權(quán)的內(nèi)容。

相關(guān)文章
網(wǎng)友點評
0相關(guān)評論
精彩導(dǎo)讀