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半導(dǎo)體/PCB

科學(xué)家利用3D飛秒激光納米光刻技術(shù)制備晶體納米結(jié)構(gòu)

星之球科技 來源:微迷網(wǎng)2019-01-24 我要評(píng)論(0 )   

YAG(釔鋁石榴石)晶體中的亞波長衍射光柵和MOW(微結(jié)構(gòu)光波導(dǎo))。a)在可見光照射下,長度為厘米級(jí)、間距為700 nm光柵的圖像。b

科學(xué)家利用3D飛秒激光納米光刻技術(shù)制備晶體納米結(jié)構(gòu)


YAG(釔鋁石榴石)晶體中的亞波長衍射光柵和MOW(微結(jié)構(gòu)光波導(dǎo))。a)在可見光照射下,長度為厘米級(jí)、間距為700 nm光柵的圖像。b)實(shí)驗(yàn)并計(jì)算了波長為1070 nm的亞波長光柵(間距為700 nm)的絕對(duì)衍射效率。計(jì)算公式為衍射功率除以入射到嵌入光柵的功率。Error bars圖對(duì)應(yīng)于~0.07%的實(shí)驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)偏差。插圖:制作的光柵的掃描電子顯微鏡(SEM)特寫圖像。c)六邊形結(jié)構(gòu)的光波導(dǎo),水平孔距500 nm,平均孔徑166nm x 386 nm,長4 mm。d)波長為1550 nm、862 nm(垂直)和972 nm(水平)的半峰全寬(full-width at half maximum,F(xiàn)WHM)處的模擬強(qiáng)度模式。e)1550 nm處測量的波導(dǎo)輸出模式的衍射受限近場圖像,F(xiàn)WHM約為~1.5 μm。(圖片來源:Nature Photonics)


據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道,材料的光學(xué)特性由其化學(xué)性質(zhì)和固有的亞波長結(jié)構(gòu)決定,盡管后者仍有待深入表征。光子晶體和超材料已經(jīng)證明了這一點(diǎn),它們通過表面的改變可提供一種全新的超越材料已知自然光學(xué)特性的光操控。然而,在過去30年的研究中,現(xiàn)有的技術(shù)方法已無法可靠地在材料表面以外的納米結(jié)構(gòu)硬脆光學(xué)晶體中進(jìn)行深入的光學(xué)表征和相關(guān)應(yīng)用。

例如,半導(dǎo)體行業(yè)開發(fā)的激光光刻是表面處理技術(shù),用于有效刻蝕多種材料,包括硅、石英玻璃和聚合物等。該工藝用于生產(chǎn)高質(zhì)量的二維(2D)納米光子器件,可以擴(kuò)展到三維(3D),20年前紅外飛秒激光直寫技術(shù)就已經(jīng)證明了這一點(diǎn)。然而,光聚合結(jié)構(gòu)是不切實(shí)際的,因?yàn)樗鼈儾荒芘c其它光子元件接合。雖然3D納米結(jié)構(gòu)光纖提供的功能遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了普通非結(jié)構(gòu)化玻璃可提供的功能,從而使非線性光學(xué)和光通信發(fā)生了革命性變化,但在晶體介質(zhì)中進(jìn)行可靠的材料制造仍然難以實(shí)現(xiàn)。

替代方法包括用激光誘導(dǎo)介質(zhì)擊穿和在透明晶體內(nèi)觸發(fā)的微爆(micro-explosion)直接加工3D納米結(jié)構(gòu),從而在其中產(chǎn)生空隙并形成亞微米結(jié)構(gòu)。但是這種方法存在擴(kuò)大晶格損傷和加深裂紋的風(fēng)險(xiǎn)。因此,盡管科學(xué)家們付出了大量努力,大規(guī)模3D晶體納米結(jié)構(gòu)的標(biāo)準(zhǔn)方法仍有待報(bào)道。

近期發(fā)表在《自然光子學(xué)》(Nature Photonics)雜志上的一項(xiàng)研究表明,Airan Rodenas及其光子學(xué)與納米技術(shù)研究所及物理系的同事們打破了現(xiàn)有的晶體納米結(jié)構(gòu)工程設(shè)計(jì)方法。他們提出了一種不同的方法,利用晶體的濕法刻蝕速率和多光子3D激光直寫技術(shù)(3DLW),可以在納米尺度上局部改變晶體的內(nèi)部化學(xué)反應(yīng)活性,從而形成致密的納米孔晶格??鐚W(xué)科的科學(xué)家表明,在100nm范圍內(nèi)具有任意特征的厘米級(jí)長度的空孔晶格可以在諸如釔鋁石榴石(YAG)和藍(lán)寶石等之類的關(guān)鍵晶體內(nèi)部產(chǎn)生,通??捎糜趯?shí)際應(yīng)用中。Rodenas等人在刻蝕之前進(jìn)行直接激光寫入,在固態(tài)激光晶體內(nèi)部產(chǎn)生光子應(yīng)用所需的孔結(jié)構(gòu)。

科學(xué)家利用3D飛秒激光納米光刻技術(shù)制備晶體納米結(jié)構(gòu)
在YAG中,利用3DLW設(shè)計(jì)的濕法刻蝕納米孔晶格。a)對(duì)納米孔晶格刻蝕120小時(shí),沿x和y方向的平均孔尺寸(257±7nm和454±13nm),沿z方向長度為1mm。b)濕法刻蝕2小時(shí)后垂直重疊的納米孔(沿x和y方向的平均孔尺寸為131 ± 5 nm和1300 ± 35 nm,長度為1mm)。c)沿z方向刻蝕1小時(shí)后的納米孔,在光學(xué)顯微鏡下拍攝的圖像(長度為129 ± 6.8 μm)。(圖片來源:Nature Photonics)

在實(shí)驗(yàn)中,科學(xué)家們使用了標(biāo)準(zhǔn)的3DLW和鐿鎖模超快光纖激光器(波長1030nm,脈沖持續(xù)時(shí)間350fs)。使用數(shù)值孔徑(numerical aperture,NA)為1.4的油浸物鏡將激光脈沖緊密聚焦在晶體內(nèi)部。Rodenas等人通過計(jì)算機(jī)控制的XYZ線性平臺(tái)對(duì)樣品進(jìn)行3D納米定位。激光照射后,他們?cè)贆M向拋光晶體,露出照射區(qū)域的結(jié)構(gòu),然后進(jìn)行濕法化學(xué)刻蝕。為此,YAG晶體是在去離子水中用熱磷酸刻蝕的??涛g工藝目前的關(guān)鍵技術(shù)限制是難以清除采用上述詳細(xì)制造方法后的納米孔內(nèi)的廢酸。

結(jié)果顯示,改性和原始晶體狀態(tài)的分子刻蝕選擇性相差1 x 10^5,迄今為止,這在光輻照材料中都沒有被觀察到。觀察值比硅上氧化鋁刻蝕掩模的觀察值高大約兩個(gè)數(shù)量級(jí)。Rodenas等人測定了未改性YAG的刻蝕速率為~1nm/h。所提出的方法能夠在亞波長結(jié)構(gòu)的晶體中設(shè)計(jì)和制造納米光子元件,以提供所需的光學(xué)響應(yīng)。通過結(jié)合3DLW和濕法刻蝕,科學(xué)家們就能夠控制YAG晶體中納米孔晶格的方向、尺寸、形狀、填充率和長度等特征。



將YAG晶格刻蝕120小時(shí),以獲得x和y方向上的平均孔尺寸。通過調(diào)整激光功率和偏振來控制孔的形狀和尺寸。刻蝕后的納米孔直徑取決于激光功率,未來可對(duì)激光束線偏振和圓偏振狀態(tài)進(jìn)行研究。作為這項(xiàng)技術(shù)的限制,他們發(fā)現(xiàn)3D光子結(jié)構(gòu)在空間上的特性是孤立的,需要支撐壁,并且還會(huì)受到收縮和光學(xué)損傷閾值較低的影響。

科學(xué)家利用3D飛秒激光納米光刻技術(shù)制備晶體納米結(jié)構(gòu)
(1)YAG中線偏振和圓偏振的激光功率與孔徑和橫截面縱橫比相關(guān)。(A)對(duì)孔刻蝕1小時(shí)后,測量的線偏振(linear polarization,LP)和圓偏振(circular polarization,CP)的孔寬度(紅色)和高度(藍(lán)色)與功率的相關(guān)性。(B)線偏振和圓偏振的橫截面孔縱橫比(高度除以寬度)與功率的相關(guān)性。(2)刻蝕縱橫交錯(cuò)的納米孔。(A)在原始明場透射圖像中描繪了刻蝕孔和未刻蝕孔之間的高折射率對(duì)比。(B)不同垂直偏移位置的90o交叉孔的3D草圖。(C,D)90°和不同交叉高度的交叉孔SEM照片。銀(Ag)濺射的納米顆粒在主表面上也是可見的。(E)孔內(nèi)部光滑表面的特寫視圖。(圖片來源:Nature Photonics)

科學(xué)家們利用圓偏振設(shè)計(jì)了光子結(jié)構(gòu),在200nm以下的納米級(jí)區(qū)域可重復(fù)地產(chǎn)生氣孔。在晶體中產(chǎn)生的納米光子結(jié)構(gòu)(氣孔光子晶格)保持了與最新多光子聚合光刻技術(shù)相當(dāng)?shù)目臻g分辨率。

對(duì)于實(shí)際應(yīng)用,納米光子器件需要強(qiáng)大有效的光學(xué)互連,從而與其它光學(xué)元件形成大型復(fù)雜的電路設(shè)計(jì)。為了實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn),Rodenas等人通過控制不同的刻蝕速率來保持光學(xué)改性的量和周圍晶體之間的大孔長度,然后用掃描電子顯微鏡(SEM)觀察并證明了3D刻蝕過程。

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從毫米級(jí)到厘米級(jí)的長度刻蝕YAG中的納米孔。(A)被刻蝕孔的光學(xué)顯微鏡側(cè)視圖。(B)被刻蝕納米孔的光學(xué)顯微鏡俯視圖。(C)被刻蝕納米孔的SEM側(cè)視圖。(圖片來源:Nature Photonics)

在170小時(shí)內(nèi),科學(xué)家們獲得了橫截面積為368nm x 726nm、長度為3.1mm的納米孔;這表明可以在單個(gè)刻蝕步驟中設(shè)計(jì)具有毫米級(jí)長度的納米孔。納米光子器件通常需要從微米級(jí)到厘米級(jí)的晶格尺寸,而不會(huì)因應(yīng)力過度導(dǎo)致晶體脆性斷裂。通過這種方式,科學(xué)家們實(shí)施了一種方案,即在整個(gè)樣本中以所需比例均勻刻蝕納米結(jié)構(gòu)和微結(jié)構(gòu)光波導(dǎo)(MOW)。

為了測試所觀察到的YAG納米孔刻蝕的選擇性是否可以轉(zhuǎn)移到其它晶體類型上,科學(xué)家們用藍(lán)寶石進(jìn)行了類似的納米結(jié)構(gòu)實(shí)驗(yàn)。他們發(fā)現(xiàn)藍(lán)寶石中平行納米孔的刻蝕速率約為1 x 10^5,類似于YAG,并且高于先前在藍(lán)寶石中刻蝕微通道時(shí)觀察到的速率。Rodenas及其同事在藍(lán)寶石中形成了毫米級(jí)長度的納米孔,其橫截面短至~120nm,并通過設(shè)計(jì)刻蝕170小時(shí)后的納米孔晶格來測試該方法的可行性,未觀察到晶體裂開。

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(1)通過3D連接刻蝕孔實(shí)現(xiàn)無限長且均勻刻蝕納米孔晶格的方案。(A)用于MOW的垂直刻蝕通道結(jié)構(gòu)的3D草圖。(B)通過MOW的拋光切口的SEM,部分顯示3D刻蝕孔。(C)間隔80μm的垂直刻蝕通道的MOW刻蝕陣列的顯微鏡俯視圖。(2)在藍(lán)寶石中刻蝕毫米級(jí)長度的孔。a)在總刻蝕時(shí)間為170 小時(shí)之后,三個(gè)1mm長孔陣列的暗場圖像。每個(gè)陣列上的孔以~10 mW寫入,深度范圍從4μm到30 μm。b)刻蝕30分鐘后以中等功率(9.4mW)和29μm深度寫入的孔的實(shí)例。c)在24 μm深度和光學(xué)改性功率閾值(~4 mW)寫入的兩個(gè)孔的實(shí)例,在這兩個(gè)孔中沒有觀察到次生孔。(圖片來源:Nature Photonics)

將晶格形成控制到納米級(jí)的能力在光子應(yīng)用中非常實(shí)用。例如,在固態(tài)激光晶體中,光子帶隙晶格可以設(shè)計(jì)為在可見光到中紅外范圍內(nèi)的阻帶,用于光子信息技術(shù)。為了進(jìn)一步挖掘3D納米光刻技術(shù)的潛力,Rodenas等人設(shè)計(jì)了具有不同晶格間距和腔體尺寸的MOW。可見光照射下,他們獲得了厘米級(jí)長度、700 nm間距的光柵。

Rodenas等人在亞波長光柵材料制造之前,對(duì)其進(jìn)行了理論研究和模擬實(shí)驗(yàn)。對(duì)于數(shù)值模擬,他們?cè)贑OMSOL Multiphysics 4.2軟件中使用了有限元法(FEM)??茖W(xué)家們?cè)谥圃熘耙彩褂孟嗤挠邢拊浖头椒▽?duì)YAG MOW進(jìn)行建模。

這種制造可控3D晶體納米結(jié)構(gòu)的能力為設(shè)計(jì)緊湊的單片固態(tài)激光器開辟了新的途徑。得到的晶體可以在晶體內(nèi)部結(jié)合傳統(tǒng)的腔體(光柵、纖維、微流體冷卻通道)或新型微諧振器等。設(shè)計(jì)大型納米結(jié)構(gòu)激光晶體的良好前景將為計(jì)量應(yīng)用中的精密技術(shù)提供新的基礎(chǔ),同時(shí)還能夠在微電子學(xué)中使用超強(qiáng)可變形激光納米纖維以及在醫(yī)學(xué)中用于藥物輸送。

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