8月26日，安徽格恩半導體有限公司在金安區(qū)舉行了氮化鎵激光芯片產(chǎn)品發(fā)布會。會上發(fā)布了包括藍光、綠光及紫光等系列十多款氮化鎵激光芯片產(chǎn)品，關鍵性能指標已達到國外同類產(chǎn)品的先進水平，充分展示了格恩半導體在氮化鎵激光芯片領域的超強技術實力和國內(nèi)領先水平，并將有力促進國內(nèi)氮化鎵激光全產(chǎn)業(yè)鏈的蓬勃發(fā)展。

據(jù)了解，氮化鎵半導體激光器具有體積小、壽命長、效率高等優(yōu)點，波長范圍覆蓋可見光和紫外波段，應用場景包括激光顯示、工業(yè)加工、激光照明、激光通訊、激光醫(yī)療等眾多領域，近年來總體市場需求呈現(xiàn)較高的復合增長趨勢，由于氮化鎵激光技術壁壘較高，長期被國外少數(shù)企業(yè)壟斷，我國企業(yè)需求全部依賴進口。

近年來，格恩半導體集中優(yōu)勢資源力量，憑借在化合物半導體、尤其是氮化鎵材料領域豐富的研發(fā)和生產(chǎn)經(jīng)驗，攻克了一系列技術難點，成為國內(nèi)首家可以規(guī)模量產(chǎn)氮化鎵激光芯片的企業(yè)。目前，格恩半導體已具備覆蓋氮化鎵激光器結(jié)構(gòu)設計、外延生長、芯片制造、封裝測試全系列工程技術能力及量產(chǎn)制造能力，擁有國際領先的半導體研發(fā)與量產(chǎn)設備500余臺，以及行業(yè)先進的產(chǎn)品研發(fā)平臺和自動化生產(chǎn)線。

據(jù)悉，本次發(fā)布會的舉辦，意味著我國在氮化鎵激光芯片領域已真正實現(xiàn)突破，打破了被國外企業(yè)長期壟斷的局面，填補了國內(nèi)氮化鎵激光芯片產(chǎn)業(yè)化空白，在我國半導體激光器的發(fā)展史上具有里程碑的意義。