ROFIN-BAASEL Lasertech(羅芬)推出新款升級版“雙線晶硅”(Dual Line c-Si)激光處理系統(tǒng)，可在新一代PERC太陽能電池設(shè)計的量產(chǎn)中改善產(chǎn)能、降低成本。PERC和選擇性發(fā)射機工藝可在晶硅太陽能電池上實現(xiàn)高達(dá)1%的絕對效率提升，但該技術(shù)需要對批量生產(chǎn)進(jìn)行遷移并犧牲部分產(chǎn)量作為成本。

伏創(chuàng)新聯(lián)盟(Photovoltaics Innovation Alliance)旗下的FutureFab項目中參與短波和短脈沖激光設(shè)備的研發(fā)，該類型的設(shè)備是減少背接觸孔形成過程中出現(xiàn)的次表層損害、優(yōu)化背表面鈍化流程。相關(guān)研究顯示，復(fù)雜的超短飛秒和皮秒激光與納秒激光脈沖在介電層激光刻蝕過程后所形成的表面結(jié)構(gòu)完全不同。然而，在BSF(背表面場)形成之后，相關(guān)研究顯示，使用納秒綠光激光脈沖進(jìn)行的背表面鈍化開槽而制造出的高效太陽能電池，與使用紫外皮秒脈沖工藝具有相同的性能值水平。對于工藝流程優(yōu)化來說較為重要的一點是使用強度為五倍于上文提及的納米激光源的工業(yè)激光的能力，從而大幅降低對每片硅片進(jìn)行激光處置的流程周期，并改善總體硅片吞吐量，這對于量產(chǎn)應(yīng)用來說十分重要。

本產(chǎn)品可應(yīng)用于PERC電池的激光刻蝕流程中。Dual Line c-Si激光系統(tǒng)現(xiàn)已搭載了高效SHG納秒激光源，該激光源專為在不增加激光損傷的情況下進(jìn)行大型點直徑的制造而配置了專門光束模態(tài)。這一正在申請專利的工藝流程可在鈍化層進(jìn)行點陣開槽，從而將掃描速度提高至20m/s以上。憑借激光可是流程周期的大幅縮短，并從而實現(xiàn)生產(chǎn)成本的降低，該產(chǎn)品對于使用點狀結(jié)構(gòu)設(shè)計的PERC電池來說是一項具有重大意義的突破。Dual Line c-Si激光系統(tǒng)同時還具有“飛行加工”(on the fly)工藝，這是一套新系統(tǒng)，可在事實上減少硅片在激光處置工藝周期間的處置與傳輸時間，從而憑借高達(dá)每小時3600片的高速工藝改善生產(chǎn)力。