電光調(diào)Q 開關(guān)是利用晶體的電光效應(yīng)制成的Q 開關(guān)。電光調(diào)Q 開關(guān)的開關(guān)速度快、器件的效率高；可以根據(jù)激光脈沖在諧振腔里的傳輸情況進(jìn)行精確控制，因此激光與其它聯(lián)動的儀器可以獲得高精度的同步；電光調(diào)Q 裝置還有破壞閾值高、重復(fù)頻率高以及系統(tǒng)工作較穩(wěn)定等突出優(yōu)點(diǎn)。
    常用的電光調(diào)制晶體有LiNbO3、KD*P、BBO，為實(shí)現(xiàn)不同的激光器參數(shù)應(yīng)選擇不同的電光調(diào)制晶體。在要求低功率輸出情況下，KD*P 晶體是不錯(cuò)的選擇，它相對于LiNbO3有較大的抗損傷閾值和弱的壓電振鈴效應(yīng)。但是KD*P 晶體單通損耗約為2.5%，這使得KD*P 晶體在平均輸出功率約為兩瓦時(shí)產(chǎn)生很明顯的熱透鏡效應(yīng)，致使局部峰值功率密度超過光學(xué)元器件的損傷閾值。
    LiNbO3普克爾盒損耗低，它的單程吸收損耗約為0.5%，熱聚焦和熱透鏡效應(yīng)可以忽略，可在高功率下工作，但是LiNbO3普克爾盒損傷閾值低（500MW/cm2），并且有比KD*P 晶體更為嚴(yán)重的壓電振鈴效應(yīng)，這個(gè)缺陷決定了LiNbO3不能工作在更高的重復(fù)頻率下。
    BBO 晶體是應(yīng)用于再生放大器的最佳普克爾盒晶體材料， BBO 晶體的單次損傷閾值高達(dá)50GW/cm2@12ns,多次損傷閾
值為23GW/cm2。高損傷閾值、弱的壓電振鈴效應(yīng)以及低的插入損耗使得BBO 晶體非常適用于高峰值功率和高平均功率的半導(dǎo)體泵浦和燈泵浦電光調(diào)制固體激光器。