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涉及光電和激光,中國對鎵、鍺相關(guān)物項實施出口管制

激光制造網(wǎng) 來源:出口管制與制裁2023-07-05 我要評論(0 )   

2023年7月3日,中國商務(wù)部與海關(guān)總署聯(lián)合發(fā)布公告,宣布對鎵、鍺相關(guān)物項實施出口管制,自2023年8月1日正式生效。鎵、鍺這兩種金屬是制造半導體和其他電子產(chǎn)品的關(guān)鍵材...

2023年7月3日,中國商務(wù)部與海關(guān)總署聯(lián)合發(fā)布公告,宣布對鎵、鍺相關(guān)物項實施出口管制,自2023年8月1日正式生效。
鎵、鍺這兩種金屬是制造半導體和其他電子產(chǎn)品的關(guān)鍵材料。中國是全球鎵、鍺儲量及產(chǎn)量最大的國家之一,中國的禁令被廣泛認為是反制西方對中國半導體產(chǎn)業(yè)實施的出口管制措施。這或?qū)θ虻陌雽w產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生重大影響。
根據(jù)公告,鎵和鍺相關(guān)物項的出口經(jīng)營者如果想開始或繼續(xù)向國外出口,將需要通過省級商務(wù)主管部門向商務(wù)部提出申請。如果是對國家安全有重大影響的所列物項的出口,商務(wù)部會同有關(guān)部門報國務(wù)院批準。
中國的出口經(jīng)營者應(yīng)填寫兩用物項和技術(shù)出口申請表并提交下列文件(詳細參考本文附錄):
(一)出口合同、協(xié)議的原件或者與原件一致的復印件、掃描件;
(二)擬出口物項的技術(shù)說明或者檢測報告;
(三)最終用戶和最終用途證明;
(四)進口商和最終用戶情況介紹;
(五)申請人的法定代表人、主要經(jīng)營管理人以及經(jīng)辦人的身份證明。
關(guān)于公告所涉及的鎵和鍺物項類型,其中滿足以下特性的物項,未經(jīng)許可,不得出口,分別是:金屬鎵、氮化鎵、氧化鎵、磷化鎵、砷化鎵、銦鎵砷、硒化鎵、銻化鎵;金屬鍺、區(qū)熔鍺錠、磷鍺鋅、鍺外延生長襯底、二氧化鍺、四氯化鍺。
以下我們簡要梳理了關(guān)于鎵、鍺相關(guān)物項的部分資料,其中參考了互聯(lián)網(wǎng)及芯智訊等信息來源,未經(jīng)核實,謹供參考:
金屬鎵
圖片
圖片來源:維基百科
鎵(Ga)是一種稀有的藍色或銀白色的金屬,其產(chǎn)品熔點很低,但沸點很高,是一種性能優(yōu)良的電子原材料,下游應(yīng)用領(lǐng)域廣泛,主要應(yīng)用于制作光學玻璃、真空管、半導體的重要原料。
根據(jù)美國地質(zhì)調(diào)查局(USGS)公布的數(shù)據(jù),目前全球金屬鎵的儲量約為27.93萬噸,而中國的儲量最多,達到19萬噸,占全球儲量的68%左右;相比之下,美國的儲量還不到中國的1/40,只有0.45萬噸。
從產(chǎn)量來看,中國產(chǎn)量占比全球鎵產(chǎn)量最高。德國和哈薩克斯坦分別于2016年和2013年停止了鎵生產(chǎn)。(2021年德國宣布將在年底前重啟初級鎵生產(chǎn)),匈牙利和烏克蘭分別于2015年和2019年停止鎵生產(chǎn),中國鎵占比全球鎵產(chǎn)量持續(xù)提升,截至2021年,占比全球鎵產(chǎn)量已超90%。
氮化鎵
圖片
圖片來源:iawbs
氮化鎵并非一個新概念,其分子式GaN,是一種直接能隙的半導體材料,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。2019年,氮化鎵作為第三代半導體的主要材料之一首次進入主流消費應(yīng)用。相對于傳統(tǒng)的硅(Si)和砷化鎵(GaAs)半導體材料,氮化鎵具有許多優(yōu)點,例如高電子流動率、高飽和漂移速度、高電子密度和高熱導率。這些特性使氮化鎵在高功率電子器件(比如快充充電器)、高速光電子器件、高亮度發(fā)光二極管(LED)和高效能太陽能電池等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。此外,氮化鎵還被用于制造紫外線激光器、無線電通信設(shè)備、醫(yī)療器械等。
氧化鎵
圖片
氧化鎵晶體結(jié)構(gòu)。圖片來源:EETimes China
氧化鎵(Ga2O3)是一種“超寬禁帶半導體”材料,也屬于“第四代半導體”,與第三代半導體碳化硅、氮化鎵相比,氧化鎵的禁帶寬度達到了4.9eV,高于碳化硅的3.2eV和氮化鎵的3.39eV,更寬的禁帶寬度意味著電子需要更多的能量從價帶躍遷到導帶,因此氧化鎵具有耐高壓、耐高溫、大功率、抗輻照等特性。并且,在同等規(guī)格下,寬禁帶材料可以制造die size更小、功率密度更高的器件,節(jié)省配套散熱和晶圓面積,進一步降低成本。
值得注意的是,在2022年8月,美國商務(wù)部產(chǎn)業(yè)安全局(BIS)對第四代半導體材料氧化鎵和金剛石實施出口管制,認為氧化鎵的耐高壓特性在軍事領(lǐng)域的應(yīng)用對美國國家安全至關(guān)重要。此后,氧化鎵在全球科研與產(chǎn)業(yè)界引起了更廣泛的重視。


磷化鎵是由元素鎵與元素磷合成的Ⅲ—Ⅴ族化合物半導體,常溫下其純度較高的為橙紅色透明固體。磷化鎵是制作半導體可見發(fā)光器件的重要材料,主要用作制造整流器,晶體管、光導管、激光二極管和致冷元件等。
磷化鎵和砷化鎵是具有電致發(fā)光性能的半導體,是繼鍺和硅之后的所謂第三代半導體。與砷化鎵不同,磷化鎵是一種間接帶隙材料。當引入能形成等電子陷阱的雜質(zhì)后,其發(fā)光效率會大大提高,并且能根據(jù)引入雜質(zhì)的不同而發(fā)出不同顏色的光來。例如在磷化鎵中摻入氮則發(fā)綠Chemicalbook光,摻入鋅-氧對則發(fā)紅光,因此磷化鎵是制作可見光發(fā)光二極管和數(shù)碼管等光電顯示器件的重要材料,此外還可用來制作光電倍增管、光電存儲器、高溫開關(guān)等器件。


砷化鎵(GaAs)是當前主流的第二代化合物半導體材料之一。其具有高頻率、高電子遷移率、高輸出功率、高線性以及低噪聲等特點,在光電和射頻領(lǐng)域有著非常廣泛的應(yīng)用。
比如,砷化鎵可以用來制作LED(發(fā)光二極管),主要是黃光、紅光和紅外光(氮化鎵禁帶更寬,主要用來發(fā)藍光、綠光和紫外光),具有效率高、器件結(jié)構(gòu)精巧簡單、機械強度大、使用壽命長等特點。如果砷化鎵作為發(fā)光材料,加上泵浦源和諧振腔,即可選頻制成激光器。典型應(yīng)用就是VCSEL(垂直腔表面發(fā)射激光器),廣泛應(yīng)用在短距離數(shù)據(jù)中心光纖通信,結(jié)構(gòu)光/TOF人臉識別等。
另外,砷化鎵的電子遷移率是硅的五倍,HBT的Ft高達45GHz,0.25um E mode pHEMT的Ft更是高達70GHz,因此砷化鎵非常適合設(shè)計Sub-7GHz的射頻器件。蜂窩和WLAN PA也常用砷化鎵HBT設(shè)計;開關(guān)、LNA等則采用砷化鎵pHEMT工藝。
銦鎵砷
銦鎵砷(InGaAs)是一種III-V族半導體,具有晶格匹配性好、帶隙可調(diào)節(jié)、大尺寸產(chǎn)品均勻性好等優(yōu)點,是第四代半導體材料,也是新一代紅外發(fā)光材料,在光電芯片、紅外探測器、傳感器等領(lǐng)域擁有巨大應(yīng)用價值。
在光電芯片領(lǐng)域,為制造體積更小、功能集成度更高的晶體管,傳統(tǒng)硅材料已無法滿足需求,砷化銦鎵可達到此要求。
在紅外探測器領(lǐng)域,砷化銦鎵可用作短波紅外光電材料,制造短波紅外探測器,也可以與其他III-V族半導體相配合制備超晶格材料,例如以磷化銦為襯底,外延生長砷化銦鎵,制備得到InP/InGaAs超晶格,此材料穩(wěn)定性高、均勻度高,以其為敏感材料制造而成的紅外探測器,具有高靈敏度、高可靠性、低功耗、低成本等優(yōu)點,可以廣泛應(yīng)用在智能駕駛、安防監(jiān)控、儀器儀表等領(lǐng)域。
在傳感器領(lǐng)域,由于砷化銦鎵靈敏度高,可制造InGaAs紅外掃描相機,是OCT(光學相干斷層掃描)的關(guān)鍵組成部分,可提高人體組織穿透性,并實現(xiàn)高速成像。OCT是新型醫(yī)學影像技術(shù),在生物組織活體檢測與成像方面效果顯著,在臨床上可以廣泛應(yīng)用在眼科、牙科、皮膚科、癌癥早期診斷等方面,是醫(yī)療領(lǐng)域重要疾病診斷技術(shù)之一,此外也可以應(yīng)用于工業(yè)測量領(lǐng)域。
硒化鎵
硒化鎵是一種重要的二元半導體,它具有各向異性、較寬的帶隙、新奇的光學和電學性質(zhì)等特性。這使得硒化鎵在太陽能電池、光探測器及集成光電子器件等領(lǐng)域有很好的應(yīng)用前景。
另外,由于硒化鎵晶體具有優(yōu)異的抗干擾性能和低損耗性能,它可以用于高精度技術(shù)應(yīng)用,如高精度電子儀器、電氣控制系統(tǒng)和光學系統(tǒng)。此外,硒化鎵晶體還具有優(yōu)異的耐腐蝕性和低氧化性,可以用于各種酸性和堿性腐蝕性環(huán)境中的應(yīng)用,是一種優(yōu)良的精密機械制造材料。
銻化鎵
銻化鎵屬于III-V族化合物窄帶隙半導體,外觀為灰白色晶體狀,為立方晶系、閃鋅礦結(jié)構(gòu)。銻化鎵是第四代半導體材料中窄帶隙半導體的代表性產(chǎn)品之一,具有電子遷移率高、功耗低的特點,其禁帶寬度可以在較寬的范圍內(nèi)進行調(diào)節(jié),在中長波紅外波段探測性能優(yōu)異。銻化鎵常用作襯底材料,可以廣泛應(yīng)用在紅外探測器、激光器、發(fā)光二極管、光通信、太陽能電池等行業(yè)中。
在光通信中,波長越長的光在傳輸過程中損耗越低,工作波長2-4μm的非硅材料光傳輸損耗更低,銻化鎵可以工作在此波段范圍內(nèi),并且能夠與其他III-V族材料晶格常數(shù)相匹配,制得的GaSb/GaInAsSb等產(chǎn)品光譜范圍符合光通信的低損耗要求。
據(jù)了解,發(fā)展銻化物半導體材料是整個光通訊領(lǐng)域中核心技術(shù)發(fā)展的戰(zhàn)略方向之一。銻化鎵半導體主要應(yīng)用于光纖通訊的發(fā)射基站,其傳輸信號的頻率可以達到300赫茲以上。銻化鎵(銻化物半導體材料)未來在6G等應(yīng)用上,可能是不可替代的傳輸載體。
在紅外探測器領(lǐng)域,銻化鎵憑借光譜覆蓋范圍寬、頻帶寬度可調(diào)節(jié)的優(yōu)勢,以其為襯底制備的二類超晶格材料例如InAs/GaSb探測性能優(yōu)異、成像質(zhì)量高,可制造高性能紅外焦平面成像陣列,特別是在中紅外探測器制造中具有不可替代性,而紅外焦平面成像陣列具有多色、大面陣、功能集成化的特點,是第三代紅外探測器。
除此之外,銻化鎵在太陽能電池中也有巨大應(yīng)用價值。2017年7月,美國喬治華盛頓大學與其他科研機構(gòu)、高校以及公司合作,設(shè)計出一款銻化鎵基太陽能電池,可以捕獲不同波長的太陽光,光電轉(zhuǎn)化效率達到44.5%,遠高于同期其他太陽能電池。
金屬鍺
圖片來源:維基百科
鍺(Ge)是一種灰白色準金屬,也是典型的稀散金屬,其主要以含硫化物的鉛、鋅、銅等礦物的伴生礦產(chǎn)以及一部分含鍺褐煤存在,很少有獨立礦床存在。在實際開采中,通常和含硫化物的鉛、銅以及煤炭等相伴而生。不僅含量少、開采難度大,而且提取也極為麻煩,因此它的產(chǎn)量始終都不高。
根據(jù)美國地質(zhì)調(diào)查局所出示的最新勘測報告顯示,全球已探明8600噸鍺儲量中,美國獨占鰲頭達到3870噸,緊隨其后的中國,探明儲量為3500噸。兩國所擁有的鍺含量,占據(jù)世界鍺總儲量的8成以上,鍺對于兩國來說,都是一種優(yōu)勢礦種。
我國是全球鍺資源儲量和消費大國,鍺資源主要分布在云南、內(nèi)蒙古等地區(qū),其中云南是國內(nèi)最大的鍺資源儲存區(qū)域,占比達到35%左右。經(jīng)過多年發(fā)展與積累,我國鍺產(chǎn)業(yè)鏈布局逐漸完善,鍺加工企業(yè)主要集中在二氧化鍺、四氯化鍺、區(qū)熔鍺錠等深加工環(huán)節(jié)。
從產(chǎn)量來看,根據(jù)2019年的行業(yè)報告顯示,全球一年的原生鍺的產(chǎn)量為131噸,和年產(chǎn)幾萬億噸的銅鐵完全不具備可比性。而在為數(shù)不多的產(chǎn)量中,中國產(chǎn)量居于世界榜首,供給量占比超過六成。
常規(guī)的金屬鍺制備方法為,鍺原料通過酸蒸餾成為四氯化鍺,四氯化鍺再經(jīng)過水解轉(zhuǎn)化為二氧化鍺,二氧化鍺再經(jīng)過還原成為還原鍺,還原鍺再進行區(qū)熔提純過程得到金屬鍺。中間需要經(jīng)過水解、還原、區(qū)熔等過程,生產(chǎn)工藝流程較長,設(shè)備設(shè)施投入較多,過程中帶入雜質(zhì)造成金屬鍺產(chǎn)品二次污染的幾率較大。
磷鍺鋅
磷化鍺鋅晶體是一種新型的中遠紅外波段非線性光學材料,可實現(xiàn)激光器的小型化、固態(tài)化和高功率輸出,在民用和國防領(lǐng)域有重要應(yīng)用。民用領(lǐng)域可應(yīng)用于紅外光譜、紅外醫(yī)療器械、大氣中有害物質(zhì)監(jiān)測、遠距離化學傳感、深空探測等;國防領(lǐng)域可應(yīng)用于紅外激光定向干擾、紅外遙感、激光雷達等。
磷鍺鋅晶體是一種性能優(yōu)異的新型中紅外高功率非線性光學材料,它具有紅外透明范圍寬、非線性光學系數(shù)大、導熱率高、光損傷閾值高、耐腐蝕等優(yōu)點,可實現(xiàn)激光器的小型化、固態(tài)化和高功率輸出。可用于制備中紅外高功率激光頻率轉(zhuǎn)換器件,如差頻、倍頻、光參量振蕩器件等,在紅外制導、紅外測距、紅外探測等國防和民用領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用前景。
二氧化鍺
圖片
圖片來源:維基百科
二氧化鍺(GeO2),外觀為白色粉末或無色結(jié)晶,為四方晶系、六方晶系或無定形體,二氧化鍺不溶于水和鹽酸,可溶于堿液生成鍺酸鹽。二氧化鍺是制造其他鍺產(chǎn)品的基礎(chǔ)材料,例如光纖四氯化鍺、區(qū)熔鍺錠、鍺化合物等,廣泛應(yīng)用在電子、化工、塑料、光學鏡頭、光學玻璃、半導體材料以及光譜分析材料等領(lǐng)域。近年來,伴隨下游市場不斷發(fā)展,二氧化鍺市場需求漸釋放,高純二氧化鍺生產(chǎn)能力穩(wěn)定提升。
高純二氧化鍺可分為GeO2-05、GeO2-06兩個牌號,其中GeO2-05的二氧化鍺純度不小于99.999%;GeO2-06的二氧化鍺純度不小于99.9999%。
近年來,伴隨電子、半導體等產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,市場對二氧化鍺的粒度、松裝密度、純度等有了更高的要求,在此背景下,高純二氧化鍺市場需求不斷釋放。為規(guī)范高純二氧化鍺產(chǎn)品質(zhì)量、擴大高純二氧化鍺生產(chǎn)能力,我國政府出臺了一系列高純二氧化鍺相關(guān)標準及政策,二氧化鍺產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)逐漸得到優(yōu)化。
四氯化鍺
四氯化鍺是一種無色的發(fā)煙液體,帶一股獨特的酸性臭味。它是生產(chǎn)高純鍺過程中的反應(yīng)中間體。四氯化鍺可用來生產(chǎn)純金屬鍺,高純四氯化鍺可用來制備高純二氧化鍺,純度更高的光纖級四氯化鍺可作為摻雜劑用于光纖預(yù)制棒生產(chǎn)中,可以實現(xiàn)光纖無損耗信號傳輸,大幅提高光纖性能。
光纖級四氯化鍺是生產(chǎn)光纖預(yù)制棒的重要原材料之一,可以提高纖芯折射率,從而降低光傳輸損耗、提升光傳輸距離。光纖預(yù)制棒是光纖產(chǎn)業(yè)中利潤最高的環(huán)節(jié),隨著我國光纖光纜行業(yè)規(guī)模不斷擴大,我國市場對光纖預(yù)制棒的需求不斷增長,拉動我國光纖級四氯化鍺需求不斷上升。
(注:以上信息來自互聯(lián)網(wǎng),未經(jīng)核實,謹供參考。)
附錄:
根據(jù)《中華人民共和國出口管制法》《中華人民共和國對外貿(mào)易法》《中華人民共和國海關(guān)法》有關(guān)規(guī)定,為維護國家安全和利益,經(jīng)國務(wù)院批準,決定對鎵、鍺相關(guān)物項實施出口管制。有關(guān)事項公告如下:
一、滿足以下特性的物項,未經(jīng)許可,不得出口:
(一)鎵相關(guān)物項。
1.金屬鎵(單質(zhì))(參考海關(guān)商品編號:8110929010、8112929090、8112999000)。
2.氮化鎵(包括但不限于晶片、粉末、碎料等形態(tài))(參考海關(guān)商品編號:2850001901、3818009001、3825690001)。
3.氧化鎵(包括但不限于多晶、單晶、晶片、外延片、粉末、碎料等形態(tài))(參考海關(guān)商品編號:2825909001、3818009002、3825690002)。
4.磷化鎵(包括但不限于多晶、單晶、晶片、外延片等形態(tài))(參考海關(guān)商品編號:2853904030、3818009003、3825690003)。
5.砷化鎵(包括但不限于多晶、單晶、晶片、外延片、粉末、碎料等形態(tài))(參考海關(guān)商品編號:2853909026、3818009004、3825690004)。
6.銦鎵砷(參考海關(guān)商品編號:2853909028、3818009005、3825690005)。
7.硒化鎵(包括但不限于多晶、單晶、晶片、外延片、粉末、碎料等形態(tài))(參考海關(guān)商品編號:2842909024、3818009006、3825690006)。
8.銻化鎵(包括但不限于多晶、單晶、晶片、外延片、粉末、碎料等形態(tài))(參考海關(guān)商品編號:2853909029、3818009007、3825690007)。
(二)鍺相關(guān)物項。
1.金屬鍺(單質(zhì),包括但不限于晶體、粉末、碎料等形態(tài))(參考海關(guān)商品編號:8112921010、8112921090、8112991000)。
2.區(qū)熔鍺錠(參考海關(guān)商品編號:8112921090)。
3.磷鍺鋅(包括但不限于晶體、粉末、碎料等形態(tài))(參考海關(guān)商品編號:2853904040、3818009008、3825690008)。
4.鍺外延生長襯底(參考海關(guān)商品編號:8112921090)。
5.二氧化鍺(參考海關(guān)商品編號:2825600002、3818009009、3825690009)。
6.四氯化鍺(參考海關(guān)商品編號:2827399001、3818009010、3825690010)。
二、出口經(jīng)營者應(yīng)按照相關(guān)規(guī)定辦理出口許可手續(xù),通過省級商務(wù)主管部門向商務(wù)部提出申請,填寫兩用物項和技術(shù)出口申請表并提交下列文件:
(一)出口合同、協(xié)議的原件或者與原件一致的復印件、掃描件;
(二)擬出口物項的技術(shù)說明或者檢測報告;
(三)最終用戶和最終用途證明;
(四)進口商和最終用戶情況介紹;
(五)申請人的法定代表人、主要經(jīng)營管理人以及經(jīng)辦人的身份證明。
三、商務(wù)部應(yīng)當自收到出口申請文件之日起進行審查,或者會同有關(guān)部門進行審查,并在法定時限內(nèi)作出準予或者不予許可的決定。
對國家安全有重大影響的本公告所列物項的出口,商務(wù)部會同有關(guān)部門報國務(wù)院批準。
四、經(jīng)審查準予許可的,由商務(wù)部頒發(fā)兩用物項和技術(shù)出口許可證件(以下簡稱出口許可證件)。
五、出口許可證件申領(lǐng)和簽發(fā)程序、特殊情況處理、文件資料保存年限等,依照商務(wù)部、海關(guān)總署令2005年第29號(《兩用物項和技術(shù)進出口許可證管理辦法》)的相關(guān)規(guī)定執(zhí)行。
六、出口經(jīng)營者應(yīng)當向海關(guān)出具出口許可證件,依照《中華人民共和國海關(guān)法》的規(guī)定辦理海關(guān)手續(xù),并接受海關(guān)監(jiān)管。海關(guān)憑商務(wù)部簽發(fā)的出口許可證件辦理驗放手續(xù)。
七、出口經(jīng)營者未經(jīng)許可出口、超出許可范圍出口或有其他違法情形的,由商務(wù)部或者海關(guān)等部門依照有關(guān)法律法規(guī)的規(guī)定給予行政處罰。構(gòu)成犯罪的,依法追究刑事責任。
八、本公告自2023年8月1日起正式實施。
?????????????????????????????????????????????????商務(wù)部 海關(guān)總署
2023年7月3日
(注:以上來自中國商務(wù)部官方網(wǎng)站。)


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鎵、鍺,實施出口管制,光電,激光,激光企業(yè),激光制造
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