10月27日消息，創(chuàng)合鑫材基金完成對安徽格恩半導體有限公司的獨家投資。格恩半導體主營高端化合物半導體外延材料、芯片及器件的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已具備大功率半導體激光器、紫外LED、高功率LED批量生產(chǎn)能力，多款產(chǎn)品實現(xiàn)國產(chǎn)化替代，是國內(nèi)唯一量產(chǎn)氮化鎵（GaN）基半導體激光器芯片的企業(yè)。GaN基半導體藍綠光激光芯片市場長期被日本及德國企業(yè)壟斷，外企占據(jù)了激光照明、激光顯示、汽車大燈和激光工業(yè)焊接的大部分市場，相關(guān)技術(shù)、工藝處于保密狀態(tài)，下游國產(chǎn)廠商發(fā)展受制于相關(guān)芯片及器件的價格及供應量，急需國產(chǎn)供應商提供替代產(chǎn)品。目前，格恩半導體是國內(nèi)兼具技術(shù)和量產(chǎn)能力的廠商，擁有藍綠光半導體激光器及高功率LED生產(chǎn)線，也是全球少數(shù)在該領(lǐng)域擁有外延生長、芯片研制以及器件封裝產(chǎn)能的企業(yè)。格恩半導體由國內(nèi)外化合物半導體領(lǐng)域領(lǐng)軍人才聯(lián)合創(chuàng)立。核心團隊成員都具有十年以上豐富的化合物半導體研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗，主要技術(shù)骨干包括留學歸國人員及來自中國科學院各院所、清華大學、北京大學、中國科學技術(shù)大學等重點院校和國內(nèi)外半導體產(chǎn)業(yè)頭部企業(yè)的專家。團隊憑借在化合物半導體，尤其是GaN材料領(lǐng)域多年的研發(fā)和生產(chǎn)經(jīng)驗，攻克了一系列技術(shù)難點，包括設計非對稱壘結(jié)構(gòu)，通過參數(shù)控制、機臺預處理、特殊摻雜改善銦析出、控制缺陷密度、芯片倒裝結(jié)構(gòu)設計、改善腔面制作技術(shù)、芯片級共晶焊接等，實現(xiàn)了藍綠光激光芯片的量產(chǎn)。國投創(chuàng)合表示，第三代半導體材料是我國重點發(fā)展的新材料領(lǐng)域，也是國投創(chuàng)合重點布局的領(lǐng)域之一。除熱導率外，第三代半導體材料GaN的其他關(guān)鍵參數(shù)在眾多半導體材料中最優(yōu)。因此，GaN應用廣泛，主要包括光電芯片（LED芯片、激光芯片）、功率芯片和射頻芯片等。目前，國內(nèi)普通LED芯片已實現(xiàn)國產(chǎn)化替代，但大功率LED芯片、激光芯片、功率芯片和射頻芯片仍亟待加強自主研發(fā)。從產(chǎn)業(yè)鏈看，GaN產(chǎn)業(yè)鏈分為襯底、外延、芯片和器件等環(huán)節(jié)。因下游應用類別多，需針對不同應用制作不同的外延層、設計并制造不同的芯片結(jié)構(gòu)，外延層金屬材料的添加、析出控制及芯片垂直結(jié)構(gòu)制造具有較高技術(shù)門檻，外延和芯片密不可分。故主流產(chǎn)業(yè)分工方式是襯底企業(yè)專攻襯底生長，外延與芯片設計制造及封裝在同一企業(yè)內(nèi)完成。國投創(chuàng)合重點關(guān)注掌握可量產(chǎn)襯底生長技術(shù)或同時掌握外延及芯片設計制造技術(shù)的IDM企業(yè)。格恩半導體不僅瞄準亟待國產(chǎn)化替代的激光芯片和大功率LED芯片，并布局了功率芯片和射頻芯片，還同時掌握外延及芯片設計等環(huán)節(jié)的關(guān)鍵技術(shù)，具有較深的“護城河”。未來，國投創(chuàng)合將發(fā)揮產(chǎn)業(yè)鏈及平臺資源優(yōu)勢，協(xié)助格恩半導體進一步擴產(chǎn)，助力其成為國內(nèi)GaN領(lǐng)域龍頭企業(yè)。
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