近日,中國電科2所激光剝離項目取得突破性進展,基于工藝與裝備的協(xié)同研發(fā),實現(xiàn)了4英寸、6英寸碳化硅單晶片的激光剝離。
2所激光剝離設(shè)備有機結(jié)合激光精密加工和晶體可控剝離,實現(xiàn)半導體晶體高可靠切片工藝,可將晶體切割損耗降低60%以上,加工時間減少50%以上,并實現(xiàn)晶體加工整線的高度自動化。
下一步,2所激光剝離項目將以“大尺寸化、快速生產(chǎn)化、高良率化、全自動化、低能耗化”為目標,迅速開展由碳化硅晶錠至合格襯底片的自動化設(shè)備貫線,為解決第三代半導體關(guān)鍵技術(shù)問題貢獻力量。
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