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華為哈勃、小米投資這家公司,激光芯片版圖擴大!

來源:拓墣產業(yè)研究2022-04-21 我要評論(0 )   

昨(19)日,微源光子(深圳)科技有限公司發(fā)生工商變更,新增華為關聯(lián)公司深圳哈勃科技投資合伙企業(yè) (有限合伙) 為股東,同時公司注冊資本由84.93萬元人民幣增加至90.8...

昨(19)日,微源光子(深圳)科技有限公司發(fā)生工商變更,新增華為關聯(lián)公司 深圳哈勃科技投資合伙企業(yè) (有限合伙) 為股東,同時公司注冊資本由84.93萬元人民幣增加至90.82萬元人民幣,增幅6.93%。

Source:企查查

此前,小米關聯(lián)公司海南極目創(chuàng)業(yè)投資有限公司已入股該公司,持股6.48%。

企查查信息顯示,該公司成立于2018年,經(jīng)營范圍包含:混合集成電路、片式元器件、光電子器件及傳感器等新型電子元器件的技術開發(fā)等。

公開資料顯示,微源光子專注于高性能激光器芯片及配套光電模組的研發(fā)、生產,核心技術擁有自主知識產權,產品技術在國內有唯一性。據(jù)智慧芽數(shù)據(jù)顯示,微源光子主要專注于激光器、窄線寬、增益芯片、光子芯片、激光雷達等技術領域。

華為、小米擴大激光雷達投資版圖!

此前,華為哈勃就投資過長光華芯、源杰半導體等激光芯片廠商。其中長光華芯已于4月1日正式登陸科創(chuàng)板。

實際上,早在2016年,華為就開始布局激光雷達市場,進軍汽車芯片領域。

2020年11月,T10 ICV CTO峰會上,華為首次面向行業(yè)正式發(fā)布了其車規(guī)級高性能激光雷達產品和解決方案。

小米方面,截止目前,小米系資本投資了四家公司,順為資本投資了北醒光子和圖達通;小米長江產業(yè)基金投資了力策科技,小米集團投資了禾賽科技。

隨著汽車朝著智能化的快速發(fā)展,自動駕駛概念火熱。而雷達在汽車自動駕駛中扮演著重要的角色,其中激光雷達的性能尤為突出。

激光雷達通過激光束能夠精準地探測目標的位置、速度、和方向等,在汽車上應用可高效的感知周邊三維空間的實時信息。同時,激光雷達的探測精度達到了厘米級,且工作性能受環(huán)境干擾較小,大幅提升了自動駕駛的行車安全。車載激光雷達已成車企必爭之地。

氮化鎵進入激光雷達市場

激光雷達的激光器是由專門設計的電路所驅動的,它能夠在短時間內提供大量電流。普通的驅動器是由一個與激光器串聯(lián)、充當電流開關的元件所構成。在實際的系統(tǒng)中,傳統(tǒng)的Si器件(例如MOSFET)無法實現(xiàn)激光驅動器的高性能輸出,其圖像獲取速度慢且較為模糊。

為了增強控制并提升相應性能,MOSFET的溝道必須足夠大,這會增加寄生電容的充電時間,從而導致開關頻率太低而不滿足應用所需。此外,散熱管理要達到良好的效果,就需要使用大體積、大重量的散熱器,這使得激光雷達發(fā)展一度受阻。

近年來,極具成本效益的第三代半導體GaN技術陸續(xù)商用化,其優(yōu)越的性能可以更快地觸發(fā)激光信號,讓自動駕駛汽車看得更遠、更快速、更清晰。

與Si MOSFET器件相比,

GaN FET在LiDAR應用中具備多種優(yōu)勢

(1)與具有相同額定電流的Si MOSFET器件相比,這些GaN器件的輸入電容CISS低出10倍,從而使得GaN FET的開啟速度更快;

(2)GaN FET是一種橫向器件,使用晶圓級芯片規(guī)模封裝(WLCSP)。WLCSP具有極低的電感、卓越的散熱性能、高可靠性和最小的附加成本;

(3)GaN FET芯片的尺寸比具有相同電壓和額定電流的Si MOSFET小得多,從而進一步降低了電感,并使得相鄰的激光器的相互間距可以很窄,對于多種應用來說非常有利,例如適用于多通道的LiDAR應用。


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華為哈勃小米激光芯片
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