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碳化硅激光剝離設(shè)備國(guó)產(chǎn)化,中電科二所取得突破性進(jìn)展

來源:太原日?qǐng)?bào)2022-02-14 我要評(píng)論(0 )   

據(jù)太原日?qǐng)?bào)報(bào)道,“目前,科研團(tuán)隊(duì)已掌握激光剝離技術(shù)原理與工藝基礎(chǔ),并利用自主搭建的實(shí)驗(yàn)測(cè)試平臺(tái),結(jié)合特殊光學(xué)設(shè)計(jì)、光束整形、多因素耦合剝離等核心技術(shù),實(shí)現(xiàn)了...

據(jù)太原日?qǐng)?bào)報(bào)道,“目前,科研團(tuán)隊(duì)已掌握激光剝離技術(shù)原理與工藝基礎(chǔ),并利用自主搭建的實(shí)驗(yàn)測(cè)試平臺(tái),結(jié)合特殊光學(xué)設(shè)計(jì)、光束整形、多因素耦合剝離等核心技術(shù),實(shí)現(xiàn)了小尺寸SiC(碳化硅)單晶片的激光剝離?!?/p>

中國(guó)電子科技集團(tuán)第二研究所(以下簡(jiǎn)稱“中電科二所”)近日傳來好消息,在SiC激光剝離設(shè)備研制方面,取得了突破性進(jìn)展。

作為第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新的重點(diǎn)項(xiàng)目,該項(xiàng)目的正式啟動(dòng)體現(xiàn)了中電科二所在SiC半導(dǎo)體材料、激光精密加工、光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計(jì)搭建、半導(dǎo)體制造設(shè)備研制等方面的科研實(shí)力。據(jù)介紹,SiC半導(dǎo)體材料具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率、化學(xué)性能穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn),對(duì)電動(dòng)汽車、高壓輸變電、軌道交通、通訊基站、衛(wèi)星通訊、國(guó)防軍工等領(lǐng)域的發(fā)展有重要意義。但是,因SiC材料硬度與金剛石相近,現(xiàn)有的加工工藝切割速度慢、晶體與切割線損耗大,成本較高,導(dǎo)致材料價(jià)格高昂,限制了SiC半導(dǎo)體器件的廣泛應(yīng)用。

激光垂直改質(zhì)剝離設(shè)備被譽(yù)為“第三代半導(dǎo)體中的光刻機(jī)”,其創(chuàng)新性地利用光學(xué)非線性效應(yīng),使激光穿透晶體,在晶體內(nèi)部發(fā)生一系列物理化學(xué)反應(yīng),最終實(shí)現(xiàn)晶片的剝離。這種激光剝離幾乎能避免常規(guī)的多線切割技術(shù)導(dǎo)致的材料損耗,從而在等量原料的情況下提升SiC襯底產(chǎn)量。此外,激光剝離技術(shù)還可應(yīng)用于器件晶圓的減薄過程,實(shí)現(xiàn)被剝離晶片的二次利用。

聚焦第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵核心技術(shù)和重大應(yīng)用方向,中電科二所以解決SiC襯底加工效率這一產(chǎn)業(yè)突出難題為目標(biāo),將SiC激光剝離設(shè)備列為重點(diǎn)研發(fā)裝備,借此實(shí)現(xiàn)激光剝離設(shè)備國(guó)產(chǎn)化,力爭(zhēng)使其具備第三代半導(dǎo)體核心裝備研發(fā)、產(chǎn)業(yè)化和整線裝備解決方案的能力。目前,這一研發(fā)項(xiàng)目已通過專家論證,正式立項(xiàng)啟動(dòng),下一步將依托國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心,匯聚科研優(yōu)勢(shì)力量,聚焦激光剝離技術(shù)的實(shí)用化與工程化,積極推進(jìn)工藝與設(shè)備的協(xié)同創(chuàng)新,研發(fā)快速生產(chǎn)化、全自動(dòng)化、低能耗化的激光剝離設(shè)備。


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碳化硅激光剝離設(shè)備中電科二所
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