閱讀 | 訂閱
閱讀 | 訂閱
今日要聞

Inp基大功率半導(dǎo)體激光器(二)

來源:klein Lightigo2021-12-27 我要評論(0 )   

非對稱包層就是將n層和p層的折射率設(shè)置的不一樣,將光場分布偏移到n層,損耗較小,下圖的稀釋波導(dǎo)也起到非對稱包層的作用,可以看到光場分布有一定的變化,稀釋波導(dǎo)采用...

非對稱包層就是將n層和p層的折射率設(shè)置的不一樣,將光場分布偏移到n層,損耗較小,下圖的稀釋波導(dǎo)也起到非對稱包層的作用,可以看到光場分布有一定的變化,稀釋波導(dǎo)采用InP和InGaAs交替生長,一是散熱效果比較好,二是可以優(yōu)化折射率降低限制因子減小損耗。

還有一些其他的大功率的半導(dǎo)體激光器,一是采用大光腔結(jié)構(gòu),波導(dǎo)寬度很寬,二是FP的一些激光器,三是采用外腔的激光器,用一些分立的透鏡光柵之類的。

目前的單管半導(dǎo)體激光器的大功率提升主要還是研究如何提升飽和電流,一是增加散熱,二是如何減小半導(dǎo)體激光器的電阻,還有端面災(zāi)變損傷等。如果要設(shè)計,目前考慮到的有,摻雜濃度、非對稱包層、稀釋波導(dǎo)、寬脊波導(dǎo)、電極設(shè)計電阻、端面鍍膜。當(dāng)然有的電阻小了,斜率效率就會下降,還需要具體優(yōu)化分析,如果要做可以用lastip軟件仿真分析。


轉(zhuǎn)載請注明出處。

Inp大功率半導(dǎo)體激光器
免責(zé)聲明

① 凡本網(wǎng)未注明其他出處的作品,版權(quán)均屬于激光制造網(wǎng),未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用。獲本網(wǎng)授權(quán)使用作品的,應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使 用,并注明"來源:激光制造網(wǎng)”。違反上述聲明者,本網(wǎng)將追究其相關(guān)責(zé)任。
② 凡本網(wǎng)注明其他來源的作品及圖片,均轉(zhuǎn)載自其它媒體,轉(zhuǎn)載目的在于傳遞更多信息,并不代表本媒贊同其觀點和對其真實性負(fù)責(zé),版權(quán)歸原作者所有,如有侵權(quán)請聯(lián)系我們刪除。
③ 任何單位或個人認(rèn)為本網(wǎng)內(nèi)容可能涉嫌侵犯其合法權(quán)益,請及時向本網(wǎng)提出書面權(quán)利通知,并提供身份證明、權(quán)屬證明、具體鏈接(URL)及詳細(xì)侵權(quán)情況證明。本網(wǎng)在收到上述法律文件后,將會依法盡快移除相關(guān)涉嫌侵權(quán)的內(nèi)容。

網(wǎng)友點評
0相關(guān)評論
精彩導(dǎo)讀