從美方對華為的打壓來看，落后就要挨打這句話又在今天得以驗證。雖然目前東方大國在經(jīng)濟，科技以及工業(yè)方面都有著顯著提升，正在向強國邁進。不過由于各方面和超級大國美方還有著一些差距，因此，在核心技術以及核心產(chǎn)業(yè)方面，我方都沒有足夠的話語權(quán)，一旦遭遇競爭的風口浪尖，難免就會受制于人。

就比如說華為，其通信設備以及5g網(wǎng)絡方面的技術都已經(jīng)做到世界領先，并且能夠獨自設計性能先進的芯片，按理說華為已經(jīng)做到了很強的地步。但是在芯片制造方面，不僅僅是華為，整個東方大國都還落后于西方，因此，在芯片制造上不得不被美方卡住脖子。就比如位于芯片制造核心地位的光刻機，由于技術掌握在人家的手里，這就足以讓華為感到無可奈何。目前臺積電主要的光刻機進口都要依靠荷蘭asml，而高端光刻機，其光源系統(tǒng)的來源就是美方。

不過就在大家為華為的未來感到擔憂的時候，中科院卻發(fā)出了令人振奮的消息。據(jù)有關媒體報道，中科院蘇州所已經(jīng)發(fā)表了關于新型5納米級高精度激光光刻加工方法，這項技術誕生于蘇州納米技術與納米仿生研究所。這標志著國產(chǎn)五納米激光光刻取得重大進展，專家也表示，這完全可能打破西方封鎖，這次中科院又立功了。目前國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)還無法擺脫對asml光刻機的依賴，如果在這項技術上面取得突破，那么東方大國將用實力打破asml光刻機的壟斷。

據(jù)了解，負責研發(fā)這項納米激光光刻技術的張子旸團隊已經(jīng)開發(fā)了一種新型的三層堆疊薄膜結(jié)構(gòu)，再通過雙激光束交疊，對能量密度及其波長進行精確控制，在線寬上面能夠?qū)挾染_到五納米。而目前asml的光刻技術是基于euv極紫外光刻，這是和asml完全不同的一種新的技術路線。

不過這項技術僅僅是在實驗階段得到了一個突破而已，從實驗到真正的應用，并且實現(xiàn)量產(chǎn)并不是一個簡單的過程。目前asml光刻機仍然是占據(jù)壟斷地位，也是美方利用自身影響力遏制我方企業(yè)的一大利器。但是上述技術的突破已經(jīng)證明此項研究是可行的，我方完全可以利用此項技術作為讓美方開放光刻機的籌碼，如此就可以大大減輕華為所面臨的壓力。