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我國固態(tài)激光雷達用百瓦級VCSEL光源芯片技術(shù)取得突破

星之球科技 來源:微迷網(wǎng)2018-09-02 我要評論(0 )   

激光雷達(LiDAR)技術(shù)是業(yè)界公認的智能駕駛核心技術(shù)。國內(nèi)近年來在多線激光雷達產(chǎn)業(yè)化領(lǐng)域獲得了長足的進步,而固態(tài)激光雷達方

我國固態(tài)激光雷達用百瓦級VCSEL光源芯片技術(shù)取得突破
激光雷達(LiDAR)技術(shù)是業(yè)界公認的智能駕駛核心技術(shù)。國內(nèi)近年來在多線激光雷達產(chǎn)業(yè)化領(lǐng)域獲得了長足的進步,而固態(tài)激光雷達方面和國外差距卻還不小,關(guān)鍵在于底層研發(fā)技術(shù)受限,尤其是光源芯片技術(shù)。垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)二維面陣在封裝方式和光束整形等方面獨具優(yōu)勢,十分適合作為全固態(tài)激光雷達光源。隨著智能駕駛時代的到來,面向未來激光雷達固態(tài)化發(fā)展趨勢,國際知名VCSEL廠商如Trilumina、Princeton Optronics(已被ams收購)、Philips Photonics等公司早已對高功率VCSEL芯片開展產(chǎn)業(yè)布局。
 
近年來,隨著基于VCSEL的3D感測技術(shù)在iPhone X手機中獲得成功應(yīng)用,VCSEL受到了國內(nèi)投資人和各大廠商的廣泛青睞。然而這類3D感測VCSEL芯片激光功率僅有瓦級水平,探測距離非常近,無法滿足智能駕駛用固態(tài)激光雷達的應(yīng)用需求。百瓦級VCSEL芯片及其驅(qū)動電路技術(shù)門檻非常高,國際上也只有美國、日本等少數(shù)高水平研發(fā)團隊擁有相關(guān)核心技術(shù)。
 
據(jù)麥姆斯咨詢報道,近日,長春光機所高功率半導(dǎo)體激光團隊在910nm高功率VCSEL領(lǐng)域取得突破,成功實現(xiàn)面向全固態(tài)激光雷達應(yīng)用的百瓦級VCSEL列陣。該團隊張建偉、張星等人采用多列陣平面封裝的方式,開發(fā)出激光功率高達120W的910nm VCSEL激光列陣模塊,該模塊輸出功率達到100W時所需的工作電流僅為55A,激光列陣重復(fù)頻率10kHz,脈寬30ns。經(jīng)過簡單的透鏡光束整形,在100W輸出功率時獲得了近高斯形貌的光場分布,相關(guān)成果已經(jīng)發(fā)表在光電子領(lǐng)域?qū)I(yè)雜志JJAP(Japanese Journal of Applied Physics 57, 100302 (2018))。
 
 
我國固態(tài)激光雷達用百瓦級VCSEL光源芯片技術(shù)取得突破
左圖:百瓦級VCSEL列陣模塊功率曲線及實物圖,右圖:整形后的遠場光斑形貌
 
本次長春光機所在百瓦級VCSEL芯片技術(shù)上的突破將推動我國固態(tài)激光雷達技術(shù)快速發(fā)展。面對智能駕駛行業(yè)帶來的固態(tài)激光雷達發(fā)展機遇,長光所與復(fù)旦大學(xué)依托各自優(yōu)勢,聯(lián)手成立復(fù)旦—長光合作基金(項目號:FC2017-002),資助長光所高功率半導(dǎo)體激光團隊與復(fù)旦大學(xué)高功率電子學(xué)團隊開展深度合作,開發(fā)驅(qū)動一體化固態(tài)激光雷達光源模塊,以期早日掌握產(chǎn)業(yè)化技術(shù)。目前該模塊正被小批量用于面陣型固態(tài)激光雷達系統(tǒng)探測效果驗證。除此之外,長春光機所在2016~2017年間陸續(xù)開發(fā)出用于測距與成像的808nm/850nm波段VCSEL驅(qū)動集成模塊系統(tǒng),脈沖激光功率均可以達到30W以上。
 
我國固態(tài)激光雷達用百瓦級VCSEL光源芯片技術(shù)取得突破
 
用于遠距離探測(左圖)及輔助照明(右圖)的百瓦級VCSEL列陣模塊
 
由長春光機所與復(fù)旦大學(xué)高功率電子學(xué)團隊合作開發(fā)
 
長春光機所高功率半導(dǎo)體激光研發(fā)團隊創(chuàng)始人為我國著名半導(dǎo)體激光專家王立軍院士,目前王院士擔(dān)任團隊學(xué)術(shù)帶頭人,現(xiàn)任團隊負責(zé)人寧永強研究員為中央組織部“萬人計劃”領(lǐng)軍人才、國務(wù)院特殊津貼獲得者。團隊自2002年至今堅持深耕高功率VCSEL領(lǐng)域,在高功率VCSEL領(lǐng)域創(chuàng)造了多個“中國第一”,曾于2004年在國際上首次研制出連續(xù)輸出功率為1.95W的980nm VCSEL單管芯片,2011年實現(xiàn)國際最高脈沖功率的980nm VCSEL單管(92W)及列陣芯片(210W)。目前已掌握百瓦級高功率VCSEL芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計、外延制備、工藝流片、封裝測試全鏈條核心技術(shù)。

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