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深度解讀
硅光子應(yīng)用新進展 3D激光寫入數(shù)值孔徑成為關(guān)鍵
星之球科技 來源:太平洋網(wǎng)絡(luò)2017-10-25 我要評論(0 )
近日,來自于法國、卡塔爾、俄羅斯和希臘的科學(xué)家Margaux Chanal等人在最新一期的《自然通訊》(Nature Communications)雜志上
近日,來自于法國、卡塔爾、俄羅斯和希臘的科學(xué)家Margaux Chanal等人在最新一期的《自然通訊》(Nature Communications)雜志上發(fā)表了一篇名為《Crossing the threshold of ultrafast laser writing in bulk silicon》的論文。論文中表示,之前在硅中進行超快速激光寫入的嘗試中, 飛秒激光 器在結(jié)構(gòu)上無法對體硅進行處理的問題得到了突破,采用極端NA值允許 激光脈沖 可實現(xiàn)足夠的電離破壞硅中化學(xué)鍵,導(dǎo)致硅材料永久性結(jié)構(gòu)改變。
自90年代末以來,研究人員一直在將飛秒激光器 的超短脈沖寫入具有寬帶隙的塊狀材料中,這些材料通常是絕緣體。但到目前為止,對于具有窄帶隙的材料,如硅和其他半導(dǎo)體材料,精密超快激光寫入還是不能實現(xiàn)的。人們一直致力于為3D 激光寫入在硅光子學(xué)中的應(yīng)用以及半導(dǎo)體中新物理現(xiàn)象的研究創(chuàng)造更多條件,從而拓展硅應(yīng)用的巨大市場。
此次試驗中,科學(xué)家發(fā)現(xiàn),飛秒激光器即使將激光能量提高到技術(shù)上的最大脈沖強度在結(jié)構(gòu)上仍然無法對體硅進行處理。不過,將飛秒激光器替換成超快激光時,在誘導(dǎo)體硅結(jié)構(gòu)操作中沒有受到物理上的限制。他們還發(fā)現(xiàn)激光能量必須以快速的方式在介質(zhì)中傳輸,以便使非線性吸收的損失最小化。原來之前工作時遇到的問題源于激光器的小數(shù)值孔徑(NA),也就是激光傳輸聚焦時可以投射的角度范圍。科研人員通過采用硅球作為固體浸入介質(zhì)解決了數(shù)值孔徑問題。當(dāng)將激光聚焦在球體的中心時,硅球完全抑制折射大大增加數(shù)值孔徑,從而解決了硅光子寫入問題。
事實上,在硅光子應(yīng)用中,進行3D激光寫入將可能大大改變硅光子學(xué)領(lǐng)域中設(shè)計和制備的方法。而硅光子學(xué)則被視為微電子學(xué)的下一場革命,影響著激光在芯片級別的最終數(shù)據(jù)處理速度,這一3D激光寫入技術(shù)的研發(fā)為微電子學(xué)打開了新世界的大門。
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