傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(基本半導(dǎo)體SiC單管，基本半導(dǎo)體SiC模塊，基本半導(dǎo)體驅(qū)動IC)分銷商，聚焦新能源、交通電動化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，致力于服務(wù)中國工業(yè)電源，電力電子裝備及新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。相較傳統(tǒng)汽車，新能源汽車在電驅(qū)動單元、電氣設(shè)備的數(shù)量上都有較大的增加，內(nèi)部動力電流及信息電流錯綜復(fù)雜，特別是高電流、高電壓的電驅(qū)動系統(tǒng)對連接器的可靠性、體積和電氣性能提出更高的要求，這意味著新能源汽車對連接器產(chǎn)品需求量及質(zhì)量要求都將大幅提升。在新能源汽車中，高壓連接器是極其重要的元部件，整車、充電設(shè)施上均有應(yīng)用。整車上高壓連接器主要應(yīng)用場景有：DC、水暖PTC充電機、風(fēng)暖PTC、直流充電口、動力電機、高壓線束、維修開關(guān)、逆變器、動力電池、高壓箱、電動空調(diào)、交流充電口等。在電動汽車中，碳化硅功率器件的應(yīng)用主要為兩個方向，一個用于電機驅(qū)動逆變器（電機控制器），另一個用于車載電源系統(tǒng)，主要包括：電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)（車載DC/DC）、車載充電系統(tǒng)（OBC）、車載空調(diào)系統(tǒng)（PTC和空壓機）等方面。碳中和、智能化引領(lǐng)人類社會進入生態(tài)文明發(fā)展時代，科技創(chuàng)新為能源、交通、信息產(chǎn)業(yè)打造最強的發(fā)展動能?？萍紕?chuàng)新融合數(shù)字技術(shù)和電力電子技術(shù)，為新型電力系統(tǒng)能源基礎(chǔ)設(shè)施、新型電動出行能源基礎(chǔ)設(shè)施、新型數(shù)字產(chǎn)業(yè)能源基礎(chǔ)設(shè)施等‘三新能源基礎(chǔ)設(shè)施’，引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展?！彪p碳目標(biāo)不僅僅是技術(shù)變革，更是一場廣泛而深刻的社會變革，傾佳電子（Changer Tech）堅持在技術(shù)和產(chǎn)品方面持續(xù)創(chuàng)新，為智能光風(fēng)儲發(fā)電機提供高品質(zhì)SiC碳化硅功率器件及驅(qū)動IC，堅定不移地與客戶，解決方案伙伴，產(chǎn)業(yè)伙伴一起，攜手構(gòu)建數(shù)字能源產(chǎn)業(yè)生態(tài)。傾佳電子（Changer Tech）將與產(chǎn)業(yè)界共同擁抱數(shù)字化、智能化，主動安全構(gòu)網(wǎng)，攜手邁入光風(fēng)儲發(fā)電機新時代，加速光儲成為主力能源！
傾佳電子（Changer Tech）致力于基本半導(dǎo)體國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT，全力推動基本半導(dǎo)體國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET加速革掉IGBT的命！Changer Tech is making every effort to promote the domestic BASiC silicon carbide (SiC) MOSFET to accelerate the replacement of IGBT!
汽車連接器廣泛應(yīng)用于汽車的各個子系統(tǒng)中。汽車連接器可以分為傳輸電流的低壓/高壓連接器和傳輸數(shù)據(jù)信號的高頻高速連接器。汽車電動化、 智能化、網(wǎng)聯(lián)化趨勢下，汽車電子應(yīng)用將從中高端車型向低端車型滲透，在整車制 造成本中的占比不斷提高，對汽車連接器的需求也與日俱增。汽車連接器作為各個 電子系統(tǒng)連接的信號樞紐，廣泛應(yīng)用于動力系統(tǒng)、車身系統(tǒng)、信息控制系統(tǒng)、安全系統(tǒng)、車載設(shè)備等方面。800V高壓平臺對電動車內(nèi)部高壓連接器的數(shù)量和質(zhì)量提出更高要求，同時也促使充電槍向大功率、液冷方向發(fā)展。 整車廠加速快充布局，國內(nèi)外企業(yè)紛紛跟進800V高壓平臺。近兩年高壓快充路 線受到越來越多主機廠的青睞，高壓連接器在電動汽車中扮演連接高壓系統(tǒng)單元并傳遞能量的關(guān)鍵角色。高頻高速連接器覆蓋了從最基礎(chǔ)的車身控制、定位系統(tǒng)，到4K攝像頭、高清視頻、 信息娛樂，再到輔助駕駛、智能駕駛等眾多應(yīng)用場景。
脫碳已經(jīng)成為業(yè)界的趨勢，在我國雙碳政策下，也即“碳達(dá)峰、碳中和”。新能源、新基建、以及光伏發(fā)電逐漸成為矚目的焦點，在低碳化、電氣化、數(shù)字化、智能化的趨勢下，未來能源世界和數(shù)字世界將深度融合發(fā)展，能源產(chǎn)業(yè)已經(jīng)進入到數(shù)字能源新時代。新型能源體系：全球能源低碳轉(zhuǎn)型按下加速鍵，預(yù)計到2030年，全球?qū)l(fā)展三倍可再生能源，光伏安裝量每年將超過550GW。隨著光伏發(fā)電效率不斷提升，“光儲平價”時代即將帶來，光伏+儲能將成為最經(jīng)濟、最普適的電源，以新能源為主體的新型能源體系正加速構(gòu)建。
新型交通體系：電動化加速，交通能源融合，電氣化新型交通體系正在快速形成。以基本半導(dǎo)體碳化硅和氮化鎵為代表的第三代功率半導(dǎo)體技術(shù)已經(jīng)成熟，電動汽車全面走向高壓化。1秒1公里、5分鐘充電200公里、加油式的充電體驗已經(jīng)成為現(xiàn)實。預(yù)計未來十年，電動汽車保有量將增長10倍，從而推動充電量、充電樁的需求快速大幅增長。
創(chuàng)新智能世界：人工智能技術(shù)爆炸式發(fā)展，算力進一步加速增長。以ChatGPT、Sora為先進代表的人工智能正在向各行各業(yè)加速滲透，驅(qū)動生產(chǎn)力跨越式發(fā)展。AI正重塑千行百業(yè)，并將給包括能源產(chǎn)業(yè)在內(nèi)的各個產(chǎn)業(yè)帶來革命性變化。
能源基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)將迎來巨變，數(shù)字技術(shù)與人工智能技術(shù)的融合，數(shù)字技術(shù)與電力電子技術(shù)的融合，源網(wǎng)荷儲的融合，傾佳電子（Changer Tech）持續(xù)提供高品質(zhì)功率半導(dǎo)體新能源汽車連接器，在新能源汽車電控，充電樁，汽車OBC，新能源發(fā)電，工商業(yè)儲能變流器，電動汽車電機主驅(qū)，光伏逆變器，儲能變流器PCS，工業(yè)電源等領(lǐng)域與客戶深入合作，傾佳電子（Changer Tech持續(xù)服務(wù)客戶的供應(yīng)鏈及新產(chǎn)品開發(fā)，在數(shù)字化與智能化的推動下，新興的能源系統(tǒng)將不斷涌現(xiàn)，新能源的商業(yè)模式也將實現(xiàn)閉環(huán)，全力支持中國新能源汽車及電力電子工業(yè)發(fā)展！Changer Tech continues to serve customers' supply chains and new product development. Driven by digitalization and intelligence, emerging energy systems will continue to emerge, and new energy business models will also achieve closed loops, fully supporting new energy vehicles. and the development of the power electronics industry!
在全球碳中和目標(biāo)的持續(xù)推進下，光儲產(chǎn)業(yè)迎來了空前的發(fā)展機遇。組件、儲能、構(gòu)網(wǎng)、數(shù)字化等單點技術(shù)創(chuàng)新正走向融合創(chuàng)新，將加速構(gòu)建以光風(fēng)儲等新能源為主體的新型電力系統(tǒng)。傾佳電子（Changer Tech）致力于聚焦Bit（數(shù)字技術(shù)）、Watt（電力電子技術(shù)）、Heat（熱管理技術(shù)）和Battery（儲能管理技術(shù)）等4T技術(shù)，為智能光風(fēng)儲發(fā)電機提供基本半導(dǎo)體SiC碳化硅功率器件及基本半導(dǎo)體驅(qū)動IC，持續(xù)為客戶和產(chǎn)業(yè)創(chuàng)造價值。
近年來，傾佳電子（Changer Tech）-著力推廣基本半導(dǎo)體國產(chǎn)碳化硅SiC功率器件，基本半導(dǎo)體國產(chǎn)SiC-MOSFET，基本半導(dǎo)體國產(chǎn)SiC-MOSFET功率模塊，國產(chǎn)氮化鎵GaN HEMT以及配套的基本半導(dǎo)體隔離驅(qū)動IC，自舉驅(qū)動IC,不斷在高壓汽車電驅(qū)系統(tǒng)、高壓快充樁、消費電子適配器，數(shù)據(jù)中心、通訊基站電源、新型電力系統(tǒng)等領(lǐng)域拓展市場。除了車載應(yīng)用，SiC碳化硅的替代IGBT方案開始在工業(yè)的UPS系統(tǒng)（不間斷電源）、軌道交通等領(lǐng)域推出。傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)功率半導(dǎo)體(IGBT單管，IGBT模塊，碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN)以及新能源汽車連接器分銷的元器件在電力電子領(lǐng)域，在功率器件方面發(fā)揮重要作用。更小的元胞尺寸、更低的比導(dǎo)通阻、更低的開關(guān)損耗、更好的柵氧保護是碳化硅MOSFET技術(shù)的主要發(fā)展趨勢，體現(xiàn)在應(yīng)用端上則是更好的性能和更高的可靠性。加之碳化硅器件的高功率密度、高結(jié)溫特性、高頻特性要求，也對現(xiàn)有封裝技術(shù)提出更高的要求。由于碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN在導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗方面的出色性能，可以大大降低電力電子方面應(yīng)用的能耗。傾佳電子（Changer Tech）專注于人類未來發(fā)展的領(lǐng)域，包括出行和可再生能源。傾佳電子（Changer Tech）聚焦新能源汽車市場，新能源汽車是最大的增長領(lǐng)域（傾佳提供電動汽車高壓連接器及線束，電動汽車主驅(qū)用SiC碳化硅及IGBT功率模塊），以及汽車電子智能系統(tǒng)（傾佳提供車規(guī)級互聯(lián)產(chǎn)品，包括線對板、板對板、輸入輸出、電源管理和FFC-FPC連接器）。傾佳電子（Changer Tech）同時聚焦工業(yè)市場的能源基礎(chǔ)設(shè)施，尤其是充電站和充電基礎(chǔ)設(shè)施，包括能源產(chǎn)生、存儲以及能源的分配（傾佳提供功率器件SiC碳化硅分立器件及功率模塊，大功率連接器，隔離驅(qū)動IC等）。
能源產(chǎn)業(yè)迎來增長與變革“發(fā)電-轉(zhuǎn)發(fā)-儲能-配電-用電-管管理”全鏈路智能化；源網(wǎng)荷儲協(xié)同，電網(wǎng)、站點供電系統(tǒng)、負(fù)載之間，打破信息孤島，實現(xiàn)“源網(wǎng)荷儲”智能協(xié)同，能量流和信息流雙向交互；儲能技術(shù)多元化，通信儲能在材料、應(yīng)用場景、管理技術(shù)等維度上，朝著多元化方向演進。
隨著汽車越來越智能化，對于連接器在未來的智能汽車上，絕不會僅僅作為一個電連接點進行傳輸，這個和傳統(tǒng)汽車會有非常本質(zhì)上的區(qū)別， 未來的連接器有可能會變成模塊化，其功能會隨著不同的汽車部位應(yīng)用場景，功能也會有所不同；同時智能駕駛的出現(xiàn)會讓連接對于傳輸?shù)姆€(wěn)定性變成強制條件，對于電性能的可靠性，以及其他性能都會提到更高一個要求等級；傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)代理的汽車智能互聯(lián)連接器與線束，新能源汽車連接器，新能源汽車高壓連接器與線束，直流充電座，耐高壓連接器&插座，基本半導(dǎo)體碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN引導(dǎo)電源技術(shù)轉(zhuǎn)向新的高功率密度和效率、高耐熱性能的解決方案，以減少導(dǎo)通損耗和碳排放。在整個能源轉(zhuǎn)換鏈中，碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN的節(jié)能潛力可為實現(xiàn)長期的業(yè)界節(jié)能目標(biāo)作出貢獻?；景雽?dǎo)體碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN將推動電力電子器件提高效率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本，因此將在很多電力電子應(yīng)用場景中為能效提升作出貢獻。
對于通用應(yīng)用，基本半導(dǎo)體SiC 功率器件可以替代 Si IGBT，從而將開關(guān)損耗降低高達(dá) 70% 至 80%，具體取決于轉(zhuǎn)換器和電壓和電流水平。IGBT 相關(guān)的較高損耗可能成為一個重要的考慮因素。熱管理會增加使用 IGBT 的成本，而其較慢的開關(guān)速度會增加電容器和電感器等無源元件的成本。從整體系統(tǒng)成本來看SiC MOSFET加速替代IGBT已經(jīng)成為各類新的電力電子設(shè)計中的主流趨勢?；景雽?dǎo)體SiC MOSFET 更耐熱失控。碳化硅導(dǎo)熱性更強，可實現(xiàn)更好的設(shè)備級散熱和穩(wěn)定的工作溫度。
Si IGBT 的一個顯著缺點是它們極易受到熱失控的影響。當(dāng)器件溫度不受控制地升高時，就會發(fā)生熱失控，導(dǎo)致器件發(fā)生故障并最終失效。在高電流、高電壓和高工作條件很常見的電機驅(qū)動應(yīng)用中，例如電動汽車或制造業(yè)，熱失控可能是一個重大的設(shè)計風(fēng)險?；景雽?dǎo)體SiC MOSFET 更適合溫度較高的環(huán)境條件空間，例如汽車和工業(yè)應(yīng)用。此外，鑒于其導(dǎo)熱性，基本半導(dǎo)體SiC MOSFET 可以消除對額外冷卻系統(tǒng)的需求，從而有可能減小整體系統(tǒng)尺寸并降低系統(tǒng)成本。由于 基本半導(dǎo)體SiC MOSFET 的工作開關(guān)頻率比 Si IGBT 高得多，因此它們非常適合需要精確電機控制的應(yīng)用。高開關(guān)頻率在自動化制造中至關(guān)重要，其中高精度伺服電機用于工具臂控制、精密焊接和精確物體放置。
基本半導(dǎo)體SiC 功率器件的卓越材料特性使這些器件能夠以更快的開關(guān)速度、更低的開關(guān)損耗和更薄的有源區(qū)運行，從而實現(xiàn)效率更高、開關(guān)頻率更高、更節(jié)省空間的設(shè)計。因此，基本半導(dǎo)體SiC MOSFET 正成為電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中優(yōu)于傳統(tǒng)硅（IGBT,MOSFET）的首選。